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G
GIWAXS图案。d-f)三种宽带隙钙钛矿膜：WBG-A、WBG-B和WBG-C的XRD图案。g，h)从0°到50°扫描的对照和目标WBG-B膜的GIXRD图案。i，j)从底部、中心和表面区域比较对照和
图案。c-f)对照组和目标组的薄膜的原位GIWAXS图案和相应的的强度分布。g，h)对照组和实验组的膜的原位PL光谱i)钙钛矿结晶过程的示意图。图3.
钙钛矿膜的光电性质。a)紫外-可见吸收和光致发光
。(E 和 F) (E) P3CT-TBB 和 (F) P3CT 的导电原子力显微镜(C-AFM)映射图。(G) P3CT-TBB 和 P3CT 的 C-AFM 线轮廓。虚线表示 C-AFM 曲线的位置
/PDMEA的器件中Ag和I扩散的有效阻挡。g，h在手套箱中在85
℃下老化500小时后，在BCP和PEI/PDMEA基器件上进行剥离的Ag实验。(g)Ag膜底部的SEM图像和(h)PCBM膜顶部的
2000小时期间的热稳定性BCP和PEI/PDMEA组分别使用了四个样品，并将数据与标准偏差(SD)一起绘制。g在50%相对湿度(RH)和65
°C的模拟1个太阳光照下，按照ISOS-L-3协议中定义
-EVA-背板五层封装结构泄漏检测标准：IEC 61730要求组件在-40℃至+85℃温循测试后，镉泄漏量0.1μg/cm²回收体系：中国已建立全球最完善的光伏组件回收网络，回收率达95%晶硅组件则完全
从顶部和底部表面的20个点的c
PL发射，d钙钛矿的计算形成能。e真实的-时间原位CLSM.f通过HTL. g 3D c-AFM图像的提取效应直接观察对照和目标膜的PL淬灭(5 × 5
μm，电流
在2000次弯曲循环之前和之后(a，B)在柔性织构化硅衬底上的对照和目标钙钛矿的顶视图SEM图像。e，f，在2000次弯曲循环之前在柔性织构化硅衬底上的e对照和f目标钙钛矿的横截面SEM图像。g，h在2000
SEM 图像及其对应的原子力显微镜(AFM)图像。e,f) 掩埋钙钛矿薄膜的 X
射线衍射(XRD)分析。g) 相应钙钛矿薄膜的拉曼应力统计图 4. a) 基于 SnO₂/DLEO 电子传输层
薄膜(ARTF)的器件的 J-V 曲线。e)
效率的统计分布，f) 稳定性跟踪测试(25±5°C;相对湿度 25±5%)，以及 g) 相应器件在 1 个太阳条件(100 mW・cm⁻²，AM 1.5
L 8-BO：PY-DT膜的rDoC值。(g)沿沿着面内方向的1D GISAXS分布和最佳拟合结果。图2. (a)D18：L 8-BO和(B)D18：L
8-BO：PY-DT膜在旋涂期间的原位紫外
8-BO：PY-DT膜的1D线切割轮廓。(g)晶体相干长度(h)D18：L 8-BO和D18：L
8-BO：PY-DT膜在面外方向上的rDoC值(CCL)和p-pd-间距。L 8-BO：PY-DT薄膜
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