EV

～1.6eV。imomec等的目标是使CZTSe和CZTS等多接合型单元实现高转换效率。CZTSSe类太阳能电池方面，美国IBM公司和SolarFrontier等已经发布过转换效率为11.1%的2cm见方

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种

，根据我们的模型，其直接带隙宽度可高达1.8eV，"NRL固态器件部的负责人RobertJ.Waltrs博士解释道。"使用这种材料，我们可以设想全部由与InP晶格匹配的材料组成的三结电池，在AM0时
，它与地面光谱契合地非常理想，"他说。"带隙"指的是受到光子激发后电子的跃迁程度。不同材料的带隙宽度也不同，单位是电子伏（eV）。NRL在其公告中特别指出，他们将用高带隙半导体材料吸收短波长辐射，而长波

的R&D还没有开始。作为Ag替代品的Al若能实现高高宽比，作为Ag 指形电极的替代品，Al比Cu更具吸引力。这方面有二个原因。一个是在Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV，这确保了低
)上Al势垒高度的激活能测量，以及斜率给出的势垒高度。取决于偏压，势垒高度在0.06-0.10eV间变化，远远低于Al/n型Si接触长期建立的值0.72eV。 创纪录低的势垒高度应导致Al和n型Si间

Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV，这确保了低接触电阻。另一个是直至400℃，Al和Si间的界面反应可得到抑制。用价补Si(100)表面可获得这些结果。

研究人员挑中了钒酸镧，其能带间隙为1.1 eV 可见光的能见带隙在1.5-3.5 eV之间。他们采用密度泛函理论来建立生长于钛酸锶衬底的钒酸镧光伏电池的模型。虽然他们无法就发电效率做出准确的预测，但研究人员

光子。因此研究人员挑中了钒酸镧，其能带间隙为1.1 eV 可见光的能见带隙在1.5-3.5 eV之间。他们采用密度泛函理论来建立生长于钛酸锶衬底的钒酸镧光伏电池的模型。虽然他们无法就发电效率做出准确

太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV， 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的
环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV

。外量子效率为指单位时间内从太阳电池产生的电子数量与单位时间内照射在太阳电池表面光子数量的比值。NREL的电池对能量3.5eV的光子外量子效率为114%。量子效率超过100%，意味着太阳电池吸收单个高能光子

Bethe-Salpeter方程，得出二硫化钼中的准粒子能量（电子、空穴和激子）。计算显示，二硫化钼中的准粒子能量对应变非常敏感，其激子能量在材料的强度范围之内可以改变0.7 eV之多。结合经典分子