CdTe薄膜
薄膜太阳能电池因良率不高，正面临困境。LG Display曾研讨过在矽薄膜外采用铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)等各种制法的薄膜太阳能电池，但因判定可行性不高，因此放弃了太阳能电池事业。LG
的双重接合矽薄膜太阳能电池因良率不高，正面临困境。 LG Display曾研讨过在矽薄膜外采用铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)等各种制法的薄膜太阳能电池，但因判定可行性不高，因此放弃了
焊接设备及层压设备等； 薄膜电池生产设备：硅基薄膜电池，铜铟镓硒电池CIS/CIGS, 碲化镉薄膜电池CdTe,染料敏化电池生产技术及研究设备；B、光伏电池：单晶电池，多晶电池，非晶电池，其他薄膜
46.4GW。考虑到中国每年新增的建筑面积约占全球新增建筑面积1/2，保守估计届时全球的BIPV将实现总装机容量100GW以上。三种薄膜电池中，CdTe电池由First Solar垄断、非晶薄膜电池效率难有提升
Thin-Film Survive the Crystalline Silicon Onslaught?)的报告中，Lux比较了多晶硅(mc-Si)、薄膜硅(TF-Si)、碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒
市场研究机构Lux Research近日公布了一项最新研究报告。在这份名为《组件成本结构分析：薄膜能否逃过晶体硅的猛攻？》(Module Cost Structure Breakdown: Can
First Solar迅猛的产量扩张使得这家国际领先的CdTe薄膜制造商在2009年度光伏组件销量榜中荣居榜首。然而，根据IMS Research最新的调查结果表明，在今年第三季度内，First
连续7个季度超过平均投资额的趋势。据介绍，薄膜太阳能电池设备投资的最初峰值出现在2008年第一季度至2009年第一季度，除生产碲化镉（CdTe）型太阳能电池的美国第一太阳能公司（FirstSolar
根据近日调研公司Solarbuzz预计，2011年上半年薄膜太阳能电池的设备投资将达到第二个峰值，在此期间的投资金额将达到有史以来最高的30亿美元。此次的设备投资周期是从2010年第二季度开始，有
技术● 晶硅电池光衰减效应研究● 晶体硅电池的质量控制和检测标准分会场二：薄膜电池的技术发展与前景● 国内外薄膜太阳能电池新进展● 硅基薄膜电池技术突破及转换效率优化● CIS、CdTe和其它
：薄膜电池的技术发展与前景●国内外薄膜太阳能电池新进展●硅基薄膜电池技术突破及转换效率优化●CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池研究与预测●染料敏化纳米晶(DSSC)电池实用化及产业化研究
连续7个季度超过平均投资额的趋势。
薄膜太阳能电池设备投资的最初峰值出现在2008年第一季度至2009年第一季度。除生产CdTe型太阳能电池的美国第一太阳能公司（First Solar）的
美国调查公司Solarbuzz预计，2011年上半年薄膜太阳能电池的设备投资将达到第二个峰值，在此期间的投资金额将达到有史以来最高的30亿美元。此次的设备投资周期是从2010年第二季度开始，有
