CdTe薄膜

型等薄膜太阳能电池属于第2代太阳能电池。 　　格林认为，第3代太阳能电池应具备的条件是，兼顾高效率和低制造成本，额定功率的制造成本为0.2～0.5美元/W。目前制造成本最低的太阳能技术为0.8美元
/W左右，因此要达到这一条件，必须取得较大的技术突破。 　　作为第3代太阳能电池的最有力候选，格林列举了串联构造的非硅类薄膜太阳能电池。具体而言，这种太阳能电池采用镉（Cd）和碲（Te）构成的

本趋势。CdTe太阳能电池的低成本在2009年击败了其他技术，但薄膜硅太阳能电池看来在2010年也可能降到此一水准。图由Nikkei Electronics依据FujiKeizai和First
一家薄膜硅太阳能电池制造商，承诺在2010年底以前将制造成本降至每瓦0.7美元，零售价大约是1～1.20美元。印度的Moser Baer Photo Voltaic公司现在正量产薄膜硅太阳能电池，宣称

太阳能模块每瓦1美元生产成本时代即将来临，最大功臣是台湾及大陆厂商，尤其是台厂卖命演出，使得价格快速下滑，未来要持续降低成本，料源成本将是重要关键。尽管碲化镉(CdTe)大厂美国First
Solar早在2008年底模块生产成本便已达每瓦1美元，但对于结晶硅太阳能模块或其它薄膜太阳能厂商来说，仍全力迈向该里程碑。依据专业太阳能研究机构Photon最新报告指出，目前结晶硅太阳能模块平均成本为每瓦

太阳能模块每瓦1美元生产成本时代即将来临，太阳能业者表示，最大功臣是台湾及大陆业者，尤其是台厂卖命演出，使得价格快速下滑，未来要持续降低成本，料源成本将是重要关键。 尽管碲化镉(CdTe)大厂美国
First Solar早在2008年底模块生产成本便已达每瓦1美元，但对于结晶矽太阳能模块或其它薄膜太阳能业者来说，仍全力迈向该里程碑。依据专业太阳能研究机构Photon最新报告指出，目前结晶矽

。这样的价格让晶硅电池生产企业承受了过大的成本压力。正是在这种情况下，国内不少光伏企业开始瞄向了薄膜电池技术。薄膜电池基本上分为非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和碲化镉（CdTe）薄膜电池三种。这种

碲化镉（CdTe）薄膜电池三种。这种技术的一个优势是其发电成本比晶硅电池更低，但设备投入过高。 世界排名第一的光伏企业第一太阳能公司（First Solar）依靠其尖端的碲化镉（CdTe）薄膜电池设备和

采用碲化镉(CdTe)薄膜太阳能技术，能制造全球最具成本竞争优势的产品，而First Solar跨入发展CIGS技术，能避免碲化镉技术转换效率难以持续提升的隐忧。 目前在实验室的环境中，美国能源部
据路透(Reuters)报导，传薄膜太阳能龙头厂First Solar在美国硅谷设立研究室研究CIGS薄膜太阳能技术，然First Solar不愿证实此消息。 知情人士指出，First Solar

、新器件（含染料敏化电池）、新材料及新概念太阳电池；（2）晶体硅电池及材料技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5
设备等； 　　e) 薄膜电池生产设备：硅基薄膜电池，铜铟镓硒电池CIS/CIGS, 碲化镉薄膜电池CdTe,染料敏化电池生产技术及研究设备； 　　● 光伏电池：单晶电池，多晶电池，非晶电池，其他

太阳能电池龙头厂仍以德国Q-Cells继续蝉联，产出为574百万瓦(MWp)、第2大则为原列第5的碲化镉(CdTe)薄膜厂First Solar，产出为503MWp、第3大为国内太阳能电池龙头厂尚德
　　1. 世界各国光伏设施市场市场调研机构VLSI Research发布报告，2008年光伏电池和组件制造设备市场（包括薄膜电池设备）销售额达到了44亿美元，太阳能产业持续发展并不断增加新的产能

/SnO2：F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni，碲化镉薄膜的厚度为5微米，转换效率为7%，1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本如下表所示
特定的工艺环节分别对透明导电薄膜、CdS/CdTe半导体层、金属背电极进行刻划，实现单元电池的串联集成。此外，工业化大面积组件生产要求工艺条件重复性高，薄膜性质均匀性好，使一些在制备高效率小面积单元