CVD公司

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GT太阳能公司与荷兰The Silicon Mine公司签订9100万美元的合同来源:Solarbe.com 发布时间:2008-04-09 09:49:24

气相沉积(CVD)反应器和四氯化硅(STC)加氢转换装置。多晶硅是全世界生产太阳能电池板所用的主要原材料。 GT太阳能公司首席执行官Thomas Zarrella说:“我们很高兴地宣布与
美国商业资讯2008年4月4日新罕布什尔州梅里马克消息—— GT太阳能有限公司(GT Solar Incorporated)为太阳能行业提供种类齐全的设备、服务、技术解决方案,是该

中钢科技公司与德美公司签署多晶硅技术联盟协议来源: 发布时间:2008-03-12 10:06:59

具有国际先进水平的多晶硅技术方面迈出了战略性的一步,也为中钢集团以多晶硅项目为切入点,进军太阳能光伏产业奠定了坚实的基础。同时,中钢科技公司还分别与MSA公司、LXE公司就TCS反应器、CVD炉和STC/TCS转化

2008年太阳能多晶硅硅料需求仍将达到4.1万吨来源: 发布时间:2008-03-05 11:19:59

和价格下跌将互为循环,真正打开太阳能光伏产业的光明前景。 重点上市公司投资评级。我们选取部分涉足多晶硅上市公司作为我们重点关注的公司,根据目前多晶硅产能的释放和价格趋势,对未来两年的盈利作如下

前景分析:太阳能电池产业投资价值高来源: 发布时间:2008-02-25 09:27:59

ULIGON于2007年10月26日宣布,拿下ChinaSolarPower(Holdings)公司的薄膜太阳能电池生产线全套订单。ChinaSolarPower隶属中国私募股权投资公司——吉富中国投资公司

东电电子与与夏普 共同提高太阳能电池的生产效率来源: 发布时间:2008-02-20 09:33:59

东电电子公布了与夏普共同成立的太阳能电池制造装置开发公司的详细情况。公司名称为东电电子PV,只从事薄膜硅太阳能电池用等离子CVD装置的开发。开发的装置由东电电子制造和销售。计划2009年
供货首款机型。 东电电子PV的注册资本为5000万日元,出资比例东电电子为51%、夏普为49%。两公司从2007年夏季便开始就设立合资公司进行了协商。 夏普决定在大阪??市建设年产

全球太阳能技术领跑者——之一:美国篇(表)来源:不详 发布时间:2007-11-25 10:41:55

太阳能的发展速度超过了科学家们的预先估计。主要的太阳能公司正在全速前进,比其他能源部分的发展更快,并且建立了可持续发展的长期优势。2006年7月11日PHOTON Consulting出版的
、GT Solar、Hemlock;SunPower(美国/菲律宾地区);英国有1个:BP (UK)英国石油公司(英国);加拿大1个:Carmanah;德国4个:Conergy、Ersol

爱发科拿下China Solar Power的薄膜太阳能电池生产线全套订单来源: 发布时间:2007-10-30 09:48:59

爱发科于2007年10月26日宣布,拿下China Solar Power(Holdings)公司的薄膜太阳能电池生产线全套订单。China Solar Power隶属中国私募股权投资公司——吉富
中国投资公司(Tano China Capital Management)旗下,成立于2007年。工厂将在烟台市建设。 该工厂采用第5代(1.1m×1.4m)玻璃底板,是中国第一家利用该尺寸面板的

爱发科太阳能电池试产线投产来源:日经BP社 发布时间:2007-09-05 11:34:46

爱发科在该公司茅崎工厂建设的薄膜硅太阳能电池试制线开始部分投产。目前,CVD、溅射设备等主要成膜装置已经启用。?预定导入划线(Scribing)、封装等设备。最终将在07年11月底

爱发科接到台湾Sunner Solar的太阳能电池生产线全套来源:【日经BP社报道】 发布时间:2007-08-06 18:21:50

爱发科(ULVAC)接到了来自台湾Sunner Solar的全套薄膜硅太阳能电池生产线订单。爱发科在整套提供形成薄膜使用的CVD装置、激光加工装置、溅射装置及组装工序装置等全套生产线的
同时,还将提供有关薄膜太阳能电池制造方面的指导。   Sunner Solar是台湾Fortune Group于07年6月成立的太阳能电池公司。将从08年夏季开始以每年25MW的规模投入量产

多晶硅薄膜的制备方法 (2)来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-20 01:49:03

有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅,温度较低,在300℃左右即可获得多晶硅,但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小,一般不超过50nm,晶内缺陷多,晶界多。 金属横向诱导法
外,还有超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、电子束蒸发等。用UHV/CVD生长多晶硅,当生长温度低于550℃时能生成高质量细颗粒多晶硅薄膜,不用再结晶处理,这是传统CVD做不到的,因此该法很适用于