CVD公司

)新能源科技有限公司（Archers）所设计的线性群集式ALC-PECVD系统所完成，此系统具有平行板电极结构并采用13.56MHz射频电源。入光面沉积本征钝化层（i）并在上面堆叠掺硼的（P）层，背面
ALC-PECVD设备采用的CVD托盘尺寸是1,150mm1,450mm，如图2.所示，在整面的托盘上放置平面基板，镀8nm厚的膜层均匀性可以达到3.3%，整个托盘面积上的膜厚均匀性对于高产能的批量生产

叠加至同一项调查中，从而达到含蓄地规避美国的AD/CVD（反倾销/反补贴税）法案的目的。这种做法是极为错误的，从贸易政策角度来看也是极为危险的。此次案件过程中所出现的进一步问题与SolarWorld所
声称的电脑被链接至中国人民解放军的黑客所攻击。美国商务部，在SolarWorlds公司的请求下，正考虑如何将这些指责叠加至案件调查中。在对所提及的网络攻击案件表示赞同后，SolarWorld所在州

(SolarWorld所提出的)三占二提议，甚至有可能是涉及面更广的提议。三占二提议本质上是通过将来自不同国家的单独、独立的产品叠加至同一项调查中，从而达到含蓄地规避美国的AD/CVD(反倾销/反补贴税
SolarWorlds公司的请求下，正考虑如何将这些指责叠加至案件调查中。 在对所提及的网络攻击案件表示赞同后，SolarWorld所在州俄勒冈州的罗恩维登参议员表示：正式美国的创新精神和效率开启了太阳能

索比光伏网讯: 独特的Saphira APF CVD硬掩膜工艺助力先进存储器件的制造 韩国PSK公司的OMNIS去胶机可完全清除Saphira APF硬掩膜，同时保留高深宽比结构 两者
CVD*系统沉积出的Saphira APF *硬掩膜，以及利用PSK公司的 OMNIS去胶机清除Saphira硬掩膜的工艺。该解决方案目前已开始销售，其合二为一的创新理念无疑成为精密材料工程在复杂

REC Silicon将扩大其Moses Lake工厂的多晶硅产量及其Butte工厂的硅烷产量，同时重新启动Silane I生产。该公司还在进行一项可行性研究，以与IDEA Polysilicon在
Lake工厂的产能扩大3000MT。该公司表示，此次扩产将于2016年第三季度完成并投入运营。该公司还表示，其将在Silane I重新启动3000MT的硅烷气生产，同时将其位于Butte的工厂的硅烷产量

索比光伏网讯:RECSilicon将扩大其MosesLake工厂的多晶硅产量及其Butte工厂的硅烷产量，同时重新启动SilaneI生产。该公司还在进行一项可行性研究，以与
MosesLake工厂的产能扩大3000MT。该公司表示，此次扩产将于2016年第三季度完成并投入运营。该公司还表示，其将在SilaneI重新启动3000MT的硅烷气生产，同时将其位于Butte的工厂的硅烷产量扩大

REC Silicon将扩大其Moses Lake工厂的多晶硅产量及其Butte工厂的硅烷产量，同时重新启动Silane I生产。该公司还在进行一项可行性研究，以与IDEA Polysilicon在
Moses Lake工厂的产能扩大3000MT。该公司表示，此次扩产将于2016年第三季度完成并投入运营。 该公司还表示，其将在Silane I重新启动3000MT的硅烷气生产，同时将其位于

成本，在整条生产线上，单纯的PECVD设备就占据了~35%的资金投入，因此设备要具有很高的产能来保障HJT低的生产成本。工艺流程如图1所示，非晶硅钝化层由精曜(苏州)新能源科技有限公司（Archers
PECVD设备采用的是1,150mm1,450mm 的CVD托盘，而在整个托盘上器件的iVoc均匀性可以达到0.28%。整个托盘上的器件均匀性对于高产能的批量生产至关重要。另外，从图3可以发现，优异的均匀性

就占据了~35%的资金投入，因此设备要具有很高的产能来保障HJT低的生产成本。工艺流程如图1所示，非晶硅钝化层由精曜(苏州)新能源科技有限公司（Archers Systems）所设计的PECVD系统所
mm1,450mm 的CVD托盘，而在整个托盘上器件的iVoc均匀性可以达到0.28%。整个托盘上的器件均匀性对于高产能的批量生产至关重要。另外，从图3可以发现，优异的均匀性并不仅仅局限于一个生产批次。在六组连续的生产

设备成本，在整条生产线上，单纯的PECVD设备就占据了~35%的资金投入，因此设备要具有很高的产能来保障HJT低的生产成本。工艺流程如图1所示，非晶硅钝化层由精曜(苏州)新能源科技有限公司
ALC PECVD设备采用的是1,150mm1,450mm 的CVD托盘，而在整个托盘上器件的iVoc均匀性可以达到0.28%。整个托盘上的器件均匀性对于高产能的批量生产至关重要。另外，从图3可以发现