黑硅技术
。单晶电池相对于多晶，产品效率方面有天然的优势。多晶电池全面应用黑硅技术，单晶领域则大规模普及PERC技术，预计2-3年内在多晶领域也将全部由PERC技术替代。由于晶体生长工艺不同，导致单晶硅片与
突破。P型单晶及多晶电池技术持续优化，采用PERC和黑硅技术先进生产线平均转换效率分别达21.8%和20.3%，均处于全球领先水平。四是品牌效应逐步凸显。世界光伏看中国、中国光伏看江苏。工信部组织发布
应用于多晶时产生的工艺和硅片表面物理特性障碍，直到2017年黑硅技术应用后才开始规模化导入，2018年才基本实现对砂浆切割的替代。金刚线切割使单晶硅片成本下降0.6-0.8元/片。2015-2017年
切割的硅片表面制绒问题，金刚石线在多晶硅片切割的规模化应用略晚，至2017年随着多晶的黑硅技术成熟，多晶硅片的制绒问题得到解决，金刚石线在多晶领域的渗透率快速提升。 以保利协鑫、晶科能源等为代表的多晶
组合技术能基本解决这一问题。近几年，主要多晶硅企业开始探索解决的办法，一种比较受认可的途径是，在多晶硅电池片环节采用黑硅技术。黑硅在常规的酸制绒后，又增加的一道工艺，从而解决了金刚线切多晶硅片的反射率
过高问题，还能附带一定电池效率的提升(转换效率能提高0.4-0.6个百分点)。
目前，比较成熟的黑硅技术技术路线主要有干法(RIE)和湿法(MCCE)两种。干法黑硅技术相比而言效果更好，但由于需要
技术大幅度提升之外，P5的组件每瓦成本也有了大幅度的降低，这使得P5的LCOE相对P4多晶和单晶PERC更具竞争力。同时，P5组件具有抗LID、抗LeTiD的优势，其应用的MCCE黑硅技术对硅片表面
技术的铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶硅片的40%，光致衰减(LID,LeTID)与常规多晶相当(约0.8%)，比直拉单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。 二是更美外观。铸锭单晶电池采用湿法黑硅技术
集团有限公司技术集成部 高级总监王栩生 湿法黑硅技术助力多晶成为强有力的市场竞争者，阿特斯领衔20个电池生产厂家在制程端全面导入湿法黑硅技术，目前中国有194条湿法黑硅量产线，该技术已成为
技术
黑硅技术是指，针对常规制绒C艺表面反射率高并有明显线痕的缺陷增加了一道表面制绒工艺，降低了表面反射率，从而改善硅片光吸收能力和电池效率。干法黑硅技术工艺稳定成熟，绒面结构均匀， 效率提升最高
，但需要新增成本较高的设备和工序。受限于设备的高资本支出,干法黑硅目前主要在部分一线电池厂家实现量产，如晶澳、品科、协鑫集成、中节能等，仍有继续发展的市场空间。湿法黑硅技术新增成本支出相对较小，可实现
黑硅技术是指，针对常规制绒C艺表面反射率高并有明显线痕的缺陷增加了一道表面制绒工艺，降低了表面反射率，从而改善硅片光吸收能力和电池效率。干法黑硅技术工艺稳定成熟，绒面结构均匀， 效率提升最高，但需要
新增成本较高的设备和工序。受限于设备的高资本支出,干法黑硅目前主要在部分一线电池厂家实现量产，如晶澳、品科、协鑫集成、中节能等，仍有继续发展的市场空间。湿法黑硅技术新增成本支出相对较小，可实现0.3
