高纯度多晶硅

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GTM:2012年多晶硅价格将继续下滑来源: 发布时间:2012-01-19 16:07:54

以下。也许意料之中的是,大规模且高纯度多晶硅制造商将在低价市场环境中幸存,而小规模厂商将奋力挣扎,每公斤30美元以下的报价正迫使大量多晶硅制造商关门歇业,并且引发诸多厂商完全退出光伏产业。据
索比光伏网讯:GTMResearch最新发布的一份多晶硅产业全面分析报告进一步支撑了市场舆论,2012年多晶硅价格将延续2011年的态势并创下新低。2012年硅料价格的下滑也许将导致晶体硅组件价格的

上澎科技——智能硅太阳能薄膜电池项目来源: 发布时间:2012-01-08 23:59:59

上面生长异质结薄膜,并成功制造出和以高纯度多晶制造的电池转换效率相近的电池,是这个技术领域里全世界取得如此高转换效率的第一家企业。上澎所采用的金属硅成本只有多晶硅成本的六分之一,有效光电转换率达到与
,世界市场占有率最高的太阳能电池是单晶硅或多晶硅的晶体硅太阳能电池,约占到市场整体的85%。此类太阳能电池的转换效率和耐用程度都比较稳定可靠,但还是需要进一步降低成本和提高效率。目前有部分企业正在做这方

赛维LDK硅粉回收利用项目被列入国家火炬计划来源: 发布时间:2012-01-07 09:21:59

浮选与除磷技术,通过采用合理的回收工艺、控制浮选工艺、除杂工艺及干燥工艺,可获得高纯度太阳能级硅粉。该硅粉主要性能指标可满足太阳能多晶硅片对原材料的要求,可作为太阳能级多晶硅片的生产原料。此外,赛维

江西赛维LDK硅粉利用项目列入2011年度国家火炬计划来源: 发布时间:2012-01-03 23:59:59

杂工艺及干燥工艺,可获得高纯度太阳能级硅粉。该硅粉主要性能指标可满足太阳能多晶硅片对原材料的要求,可作为太阳能级多晶硅片的生产原料。在目前国内外太阳能级硅料供应紧张的情况下,该项目可扩大硅料来源,有效

启动内需或是应对光伏寒流最佳途径来源: 发布时间:2011-12-31 09:26:59

高纯度多晶硅,其提取技术被少数几家外国公司垄断,我国太阳能产业只能受制于人。国际市场上的多晶硅也供不应求,中国的需求量很大,一些国外的多晶硅生产企业还对我国实行限购、禁购,有的则将次品以高价卖给

多晶硅价格反弹太阳能硅片股价涨势相迎来源: 发布时间:2011-12-30 10:32:39

需求还是待挑战。依太阳能报价机构PVinsights本周调查,多晶硅报价止跌反弹为最大观察点。本周现货市场高纯度的多晶矽均价小涨至29.2美元/公斤,涨幅2.1%,最高价格35美元,最低达26元;二级
索比光伏网讯:在长达几乎三季的多晶硅价格向下,尤其在今年下半年起多晶硅跌幅扩大后,本周多晶硅出现反弹的现象,由于依过去经验,太阳能股与其产品报价连动性相当高,故位处于最上游的多晶硅现货价格出现许久

中科院物理冶金法太阳能级硅材料提纯技术研究取得进展来源: 发布时间:2011-12-19 09:05:03

需要更多地去除硼和磷等杂质,以提高纯度。否则,光电转化效率不能提高,衰减快,仍难以大规模应用。此外,由于冶金法制备的太阳能级多晶硅的固有特性,必须开发相应的电池片和组件制备技术,才能满足光伏产业对组件质量的要求。

多晶硅氢化炉核心材料攻关首战告捷来源: 发布时间:2011-12-16 10:19:03

多晶硅生产成本。以中国工程院院士孙晋良为主任委员的鉴定委员会认为,新型氢化炉用炭/炭热场不仅具有传统石墨产品的轻质、耐高温、高纯度等特性,而且整体结构和抗热震性能好,电阻均匀,抗冲刷能力强,连续运行时
索比光伏网讯:记者昨天从航天四院所属西安超码科技有限公司获悉,该公司自主研制的多晶硅氢化炉用炭/炭热场新产品打破了国外技术壁垒和市场垄断,在可靠性、稳定性和节能降耗等方面大大优于国外同类产品。该产品

光伏产业应直击“双反” 积极开拓国内市场来源: 发布时间:2011-12-13 13:55:23

。对此,有人担心:在经历了产能过剩、技术空心化、301调查等诸多问题之后,整个行业是否将会陷入泥沼?纵观我国光伏产业的现状,业界形容其是两头在外(指高纯度多晶硅需要从国外进口,光伏组件和电池96%出口
项目。据了解,目前单晶硅的发展趋势趋于平稳。由于行业具有较高的技术壁垒,难以单纯通过资本涌入制造领域,仍能保持相对稳健的扩张。同时,从技术上讲,多晶硅片的光电转换效率在15%-16%之间,这个已经是技术上的

欧洲会否效仿美国“双反”光伏堪忧来源: 发布时间:2011-12-13 09:46:59

将会陷入泥沼?纵观我国光伏产业的现状,业界形容其是两头在外(指高纯度多晶硅需要从国外进口,光伏组件和电池96%出口海外市场,其中欧洲市场占据了出口量的80%)。而对于此次美国双反调查之所以引发国内
涌入制造领域,仍能保持相对稳健的扩张。同时,从技术上讲,多晶硅片的光电转换效率在15%-16%之间,这个已经是技术上的极限,目前单晶硅片普遍的转化效率为17%-19%,通过技术革新,转换率还在进一步