高效硅异质结薄膜电池技术
料替代薄膜和单晶硅片替代多晶硅片的过程为异质结替代单质结做好了产业铺垫，因为异质结电池的硅片基底是N型单晶硅片，P型单晶制备工艺可以转化为N型工艺(这并不是能级跃迁)，所以当P型单晶硅片全面替代P型
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
光伏市场的不断发展，高效电池将成为市场主导，单晶硅电池市场份额逐步增大，2019年单晶硅片市场份额超过50%，随着异质结电池、N型PERT电池的应用推广，N型单晶硅片的市场份额，也将逐年提高，单晶硅片的
光伏的 LCOE 再降低 20%以上。
然而，由于多数晶体硅电池技术都需要高温烧结，而且表面粗糙度大(达到数微米)，与不耐高温并且厚度仅有几百纳米的钙钛矿薄膜
匹配度并不理想。在目前可见的晶硅电池技术中，HIT(异质结)技术匹配度最好，HIT 的生产工艺低于 200℃，并且较高的投资成本导致其性价比优势并不突出，HIT 与钙钛矿结合有望出现1+12的效应
。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征
沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。 与主流的高效光伏电池PERC相比，异质结转换效率和发电量都更高，且具备更强的技术延展空间
，电池片厂商开始相继布局具有更高效率，更低衰退率，更高发电量的N型太阳能电池技术，例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon)，异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时，设备厂商正在布局
的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征
，在首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，捷佳伟创副总经理陈麒麟博士强调，TCO镀膜技术是推动常规异质结迈向高效异质结的关键技术。目前异质结量产
主流地位的稳固，业界也着手培育下一代电池技术的方向。如今，备受推崇的下一代主流电池技术的候选者，莫过于一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池HJT(异质结)电池。 业内普遍看好异质结未来
，技术上不再存在壁垒。 异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备)、效率高、工艺温度低、光致增益全生命周期发电量高、弱光发电性能较好，以及能更好的利用超薄硅片，并且未来可与
