索比光伏网讯:当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录(25.6%)是由日本松下公司创造的,其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式(HIT电池)。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面
定程度上回应了纳米绒面结构太阳能电池无法同时达到光、电两方面增益的难题,仅由正面结构优化所制备的20m级杂化太阳能电池光电转换效率超过12%。该方法为通过绒面形貌控制制备高效太阳能电池提供了一种新思路
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象,分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电,严重影响电池片的
品质,另外发现Si3N4颗粒、多晶硅晶界等也有可能造成电池片漏电。
关键词:漏电流;点状烧穿;印刷擦片;刻蚀不完全
中图分类号:TK514 文献标识码:A
引言
太阳能发电由于其具有环保、高效
中电光伏的PERC电池研发项目是依托于2012年的国家863科研课题:效率20%以上基于高效背场和背钝化技术的晶体硅电池产业化成套关键技术及示范生产线,目标是研究开发背面钝化PERC低成本高效
电池,并建成一条35MW高效(大于20%)单晶硅太阳电池示范线。中电光伏最早于2008年开始针对PERC电池进行研发,期间尝试了多种技术方案;经反复实验评估,最终确定了一条实验室研发技术路线,并在
什么水平?
CIS型太阳能电池的活性层在材料和晶体质量,以及制造工艺等方面与过去没有太大的变化。改变的只是活性层的厚度、材料的成分和配置。
高效率的单晶硅太阳能电池需要高精度的图案形成和离子注入
22.3%就是仿真的成果。
转换效率还有很大的提升空间。比如说,提高光利用效率的单元表面加工等技术在晶体硅太阳能电池中司空见惯,而我们还没有使用。即便没有技术突破,通过使用这些现有的精细技术,也能将
的单元表面加工等技术在晶体硅太阳能电池中司空见惯,而我们还没有使用。即便没有技术突破,通过使用这些现有的精细技术,也能将转换效率提高到接近26%。在这种情况下,与高效率的单晶硅太阳能电池根本构不成竞争
制造工艺等方面与过去没有太大的变化。改变的只是活性层的厚度、材料的成分和配置。高效率的单晶硅太阳能电池需要高精度的图案形成和离子注入技术,需要昂贵的制造装置。而我们没有依靠昂贵的装置和昂贵的工艺,而是
,这是怎么实现的?今后效率能提高到什么水平?CIS型太阳能电池的活性层在材料和晶体质量,以及制造工艺等方面与过去没有太大的变化。改变的只是活性层的厚度、材料的成分和配置。高效率的单晶硅太阳能电池需要
的性能。最近的22.3%就是仿真的成果。转换效率还有很大的提升空间。比如说,提高光利用效率的单元表面加工等技术在晶体硅太阳能电池中司空见惯,而我们还没有使用。即便没有技术突破,通过使用这些现有的精细
效率的单元表面加工等技术在晶体硅太阳能电池中司空见惯,而我们还没有使用。即便没有技术突破,通过使用这些现有的精细技术,也能将转换效率提高到接近26%。在这种情况下,与高效率的单晶硅太阳能电池根本构不成
制造工艺等方面与过去没有太大的变化。改变的只是活性层的厚度、材料的成分和配置。高效率的单晶硅太阳能电池需要高精度的图案形成和离子注入技术,需要昂贵的制造装置。而我们没有依靠昂贵的装置和昂贵的工艺,而是
电池实现产业化,热发电效率达到20%左右。亚化咨询认为,随着晶体硅太阳电池制造技术的不断更新进步,尤其是近年来PERC电池和N型电池等高效电池的兴起,实现十三五规划对效率的要求将不成问题,但这也对
Christophe Ballif表示:我们认为硅异质结技术是当今串联型太阳能电池技术应用领域最高效的硅技术。
CSEM晶体硅活动经理Matthieu Despeisse表示:CSEM与NREL的
磷化铟镓构成的顶部电池,以及由晶体硅制成的底部电池创造了此次能效新纪录。
双结太阳能电池的新设计以及CSEM的贡献是刷新纪录的关键所在,双方第一次合作所取得的结果进一步表明,通过将NREL和CSEM
全过程技术监测评价,在工程竣工验收时重点检查是否达到承诺的指标,在工程投产一年后进行后评估并公布评估结果。
d.对于非标准晶体硅光伏组件(如双玻组件),转化效率可不以《意见》给出的转化效率公式计算,但
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b.对双玻组件进行的改良设计并不一定是最佳的选择
为了和传统组件的标称功率相一致,一些双玻组件在设计的时候会采用高反射率的白色底层封装材料,或者采用更高效的电池片等。这无形中增加了双玻组件的材料成本