高效晶体硅
电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6）HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上
沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和安全性已得到证实
呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和
一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。
1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和安全性已得到证实，2016年开始小批量应用，预计在
，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。
HIT太阳电池组件
HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅
片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池
Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压
达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点
皇冠上的明珠。近10万吨的多晶硅产能，占据了全球的四分之一;近20吉瓦的铸锭产能，占据了全球的三分之一，也就是说，全球每生产三片硅片，就有一片源自江苏协鑫硅材料的铸锭车间。硅片分选线高效能的铸锭车间在
。其实光伏产业刚开始只有单晶技术，以半导体工艺为基础的单晶拉棒技术产能极其有限，耗电量高，难以迅速扩张。技术人员想办法提升炉内空间，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生。高产
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到
729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点有：1
明珠。近10万吨的多晶硅产能，占据了全球的四分之一;近20吉瓦的铸锭产能，占据了全球的三分之一，也就是说，全球每生产三片硅片，就有一片源自江苏协鑫硅材料的铸锭车间。硅片分选线高效能的铸锭车间在江苏协鑫
光伏产业刚开始只有单晶技术，以半导体工艺为基础的单晶拉棒技术产能极其有限，耗电量高，难以迅速扩张。技术人员想办法提升炉内空间，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生。高产能低价
。
硅片分选线
高效能的铸锭车间
在江苏协鑫硅材料数个巨大的铸锭车间里，1000余台铸锭炉24小时不间断运转，产品仍供不应求。相对于单晶的拉棒工艺，多晶的铸锭工艺要高产的多。目前最先进的协鑫
工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生。高产能低价格，多晶铸锭的高性价比满足了全球光伏市场爆发式增长的需求，为光伏十年的飞速发展奠定了坚实基础。其产能每年呈几何级增长，也促使多晶产品占据了
太阳能是一种清洁、高效并且可连续的可再生能源，在替换传统能源方面颇具吸引力。太阳能电池是太阳能发电系统中的基础组件，普遍由晶体硅制成。在晶体硅设备中，微裂纹产生的电池破损、电池上的恶化和分流区域
在量子效率和灵敏度方面表现优异的近红外(NIR)工业相机，并配合合作伙伴，基于电致发光原理，为太阳能电池检查系统供应商开发出了一套工作于近红外光谱范围的高效成像系统。这类产品广泛应用于市场上的各类检查系统
