非晶硅薄膜
自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入
自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉
的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在
方便从实验室转换到生产线上。在HIT太阳能光伏电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的
最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
建筑物屋顶及外立面相结合，每个建筑就是一座小型发电站，实现自发自用，多余上网，不用占地，不需要远距离传输。从技术来看，目前国内企业自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，达到了世界先进水平
拓展一体两翼（以新能源为龙头，以信息科技和股权投资为两翼）发展战略并取得重要成就的一年。公司大举投入、全面拓展海外光伏系统集成业务，大力推进非晶硅薄膜生产双线调试生产和技术升级，大大提升了新能源产业在
，综艺光伏生产的非晶硅薄膜太阳能电池继２０１０年获得欧洲ＴＵＶ认证后，于２０１１年先后顺利通过了国内金太阳认证，英国ＭＣＳ认证和美国ＵＬ认证。２０１１年底，综艺光伏获得了国家高新技术企业认定，成为公司
