铸锭单晶产品

远高于使用铸造技术生产多晶硅硅片的成本。然而，较高的效率和无PID现象等因素使得对单晶产品的开发延续到了准单晶技术身上。解决方案据多家使用了新款G2硅片的保利协鑫旗下客户所提供的测试数据显示，产品
光衰。产品应用类单晶硅片可用于输出率在280/335W(60/72PCS)及以上的组件生产中。相关信息保利协鑫还自主开发了类单晶硅锭铸锭炉，具有先进的铸造技术，配有特殊的多晶硅送料机制，该铸造技术据称可产出具有独特晶体结构的类单晶硅片。上市时间2014年1月

用要远高于使用铸造技术生产多晶硅硅片的成本。然而，较高的效率和无PID现象等因素使得对单晶产品的开发延续到了准单晶技术身上。 解决方案 据多家使用了新款G2硅片的保利协鑫旗下客户所提供的
增益和平均为1%的光衰。 产品应用 类单晶硅片可用于输出率在280/335W(60/72PCS)及以上的组件生产中。 相关信息 保利协鑫还自主开发了类单晶硅锭铸锭炉，具有先进的

损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类单晶产品中最高。第二代类单晶除了在产品技术参数上做了提升，其外
常见，但这次由国内五家主流单晶制造商联合发布新品让人感到意外，更有深意的是，此次发布的产品除了具备新品的常规特征如增加组件功率、保持低成本等以外，五家公司首次对单晶产品提出了规格上的标准，将单晶硅片的

大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类单晶产品中最高。第二代类单晶除了在产品技术参数上做了提升

有0.5%以上的效率增益，光率平均也要低1%，同时具有面积大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。 2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为
新产品很常见，但这次由国内五家主流单晶制造商联合发布新品让人感到意外，更有深意的是，此次发布的产品除了具备新品的常规特征如增加组件功率、保持低成本等以外，五家公司首次对单晶产品提出了规格上的标准，将

主流组件输出功率。相较于以传统直拉法制得的单晶产品，这次发布的鑫单晶G2 有0.5%以上的额外效率增益，光衰平均低1%，同时，具有面积大、封装损失低等特点，是铸锭单晶技术取得的最新产品突破，进一步
进一步正面与其他企业交锋单晶市场，完成了在多晶与单晶市场的全面布局。上述人士表示：目前来看，保利协鑫的单晶技术是铸锭法，这与传统的直拉法并不一样，如今市场的直拉法的单晶产品为了增加效率，是在增加面积的

、中环、晶龙、卡姆丹克、阳光能源)联合推出了标准化的单晶硅片产品。业内人士指出，光伏企业集体发力单晶产品，可能与中国大力推广分布式光伏发电有关。后者将对光伏应用市场的需求结构产生长远影响：过去，光伏电站
单晶产品，鑫单晶G2平均光电转换效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制备280/335W(60/72PCS)以上的电池组件。鑫单晶G2定位于高效硅片市场的主流应用。据悉，自2011年11月

、中环、晶龙、卡姆丹克、阳光能源）联合推出了标准化的单晶硅片产品。 业内人士指出，光伏企业集体发力单晶产品，可能与中国大力推广分布式光伏发电有关。后者将对光伏应用市场的需求结构产生长远影响：过去
2011年发布的第一代类单晶产品，鑫单晶G2平均光电转换效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制备280/335W（60/72PCS）以上的电池组件。鑫单晶G2定位于高效硅片市场的主流应用

0.5%以上的效率增益，光率平均也要低1%，同时具有面积大、低封装损失的优势，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。2011年保利协鑫发布了第一代类单晶产品，硅片平均转换效率达到18.5%，成为当年量产类
以外，五家公司首次对单晶产品提出了规格上的标准，将单晶硅片的规格一致统一为直径205、210（毫米）。在此之前，市场上的单晶硅片以不同直径（200-210 毫米）的规格出现，种类并不统一，不同的硅片公司