铜栅线铜技术

之后，需在电池顶部沉积铟锡氧化物(ITO)，即透明导电氧化层作为入射光的减反射层。然后需要在光入射一面布置栅线，并根据最后电池的尺寸和形状，进行切割、电极接合、电池切割和电池互联，从而构成具有一定参数
降低成本方面比晶体硅(单晶或多晶)太阳电池具有更大的优势，一是实现薄膜化后，可极大地节省昂贵的半导体材料；二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成，因此节省了许多工序；三是薄膜太阳电池采用低温工艺技术

表面金属化技术具有自主知识产权，金属栅线细至30微米以下，仅为传统丝网印刷电池片金属栅线的四分之一。此外，超细金属线的材质也由铜替换了银。通过技术工艺的改进，减少了光伏电池片表面的金属覆盖率，从而产生

电池制造技术，是尚德与澳大利亚新南威尔士大学共同研发的科技成果。其表面金属化技术具有自主知识产权，金属栅线细至30微米以下，仅为传统丝网印刷电池片金属栅线的四分之一。此外，与原先的工艺相比，这些超细的

丝网印刷电池片金属栅线的四分之一。此外，与原先的工艺相比，这些超细的金属线的材质也不再是银，取而代之的是铜。这些技术工艺上的改进，大大减少了电池片表面的金属覆盖率，可以使电池片吸收更多的太阳光，从而产生

硅异质结太阳能电池的顶部电网电极的首选。降低银浆丝网印刷电阻和细化金属线仍存在困难，从而也难以实现太阳能电池高效率、低成本的目标。在Kaneka展示的非银浆太阳能电池技术中，电镀铜取代银浆，由此
。Kaneka在IMEC现有铜电镀技术的基础上，通过应用此技术成功研发出高效铜电镀硅基异质结太阳能电池。电镀铜在透明导电氧化层上接触输电网，6英寸硅衬底的光电转换效率超过21%。当前，银浆丝网印刷技术是实现

之后，需在电池顶部沉积铟锡氧化物(ITO)，即透明导电氧化层作为入射光的减反射层。然后需要在光入射一面布置栅线，并根据最后电池的尺寸和形状，进行切割、电极接合、电池切割和电池互联，从而构成具有一定参数
、上海太阳能工程技术研究中心的工作上海市太阳能工程技术研究中心目前拥有整套的柔性非晶薄膜电池研制线，太阳模拟器、QE测试设备等测试装置，目前所研制的不锈钢衬底非晶硅电池，电池效率达到8.4%(AM0，25℃)；聚酰亚胺衬底非晶硅电池，电池效率达到6.4%(AM0，25℃)。

。IXYS是一家专业功率半导体的供应商，我们宽广的功率产品线可以覆盖所有功率等级风力发电系统的需要。IGBT(绝缘栅双极晶体管)是现在最常用的一种开关器件，它用于将风力产生的电能转变为适合电网需要的
MOSFET供应商。与此同时，我们还在模块中的IGBT和二极管中集成了碳化硅技术，以提高太阳能逆变器的效率，并减少用户的安装成本和时间。我们独特的DCB(直接铜邦定陶瓷衬底)技术使我们可以快速地为任何客户定制

。在1980年代，很多研究机构进行了一系列成功的实验，在聚光技术方面取得了突破性进展，如非涅耳透镜、棱形玻璃盖片等。在1990年代中期，线聚焦Fresenel透镜聚光阵技术已经成功地用于SCARLET

一一这种电池最早（1972）是为通信卫星开发的。因其浅结（0．1一0．2μm）密栅（30／cm）、减 反射（Ta2O5―短波透过好）而获得高效率。在一段时间里，浅结被认为是高效的关键技术之一而被采用
的M1S电池正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体

单晶硅电池和低成本多晶硅电池。限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有：①电池表面栅线遮光影响；②表面光反射损失；③光传导损失； ④内部复合损失；⑤表面复合损失。针对这些问题，近年来开发了许多新技术，主要有