钝化接触
太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池（PERC）最早是由新南威尔士大学研发的
，由于对电池进行了双面钝化，背面电极采用局域接触的形式，有效地降低了表面复合，减少了电池的翘曲断裂。另外，对电池背面进行了抛光处理，提高了对长波的吸收。PERC电池制作流程如图1所示。目前，国内晶体硅电池
一层磷掺杂的a-SiCx钝化层，再利用激光在熔融钝化层的同时将其中的磷元素掺杂进晶体硅形成局部重掺，最后通过PVD的方法形成Al背面电极。背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果，金属接触
，以获得高性价比产品，提升竞争优势。其中，专注于钝化发射极背面电池(PERC)技术的中美晶，2015年第四季度与伏激光技术设备专家InnoLas Solutions签订合作，采用超快激光接触开缝(LCO
的主流光伏制造商加大了对高效电池的研发与投入，并各自取得不同程度的突破。高效电池研发，将以组件量产定胜负随着背接触（BC）、异质结（HIT）、双面（BC）等电池新结构的开发及激光、离子注入、双面钝化等
（Passivated Emitter，Rear Locally-Diffused）电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。设计是在PERC电池的基础上，在电池背面增加定域掺杂，即在电极与衬底的接触孔处
电极是蒸镀在沟槽的侧面，对光线的遮挡率极小，有利于提高短路电流；优异的MIS结构设计。电极与发射极不是直接接触，电池表面完全被钝化，所以载流子复合很小，可以获得很高的开路电压和填充因子以及高质量的蒸镀
下的p-n结看作一个理想二极管和恒流源并联，恒流源的电流即为光生电流IL，由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。流经负载的电流，经过它们时
原因主要为人为操作不规范导致的，1）人为的擦片破坏Si3N4膜面，使Si3N4钝化效果失效；2）绒面凸起部分在人为摩擦过程中极易受损，使电池片p型裸露，印刷后直接与金属电极导通发生短路；3）即使擦片后
的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机物异质结太阳能电池采用在硅基底上旋涂相应的导电有机物，再沉积上、下金属电极的简单途径即可
/PEDOT:PSS异质结是该类电池中的出色代表，其中PEDOT:PSS在经过改性处理后可以形成对硅表面近乎完美的钝化效果，具有获得高开路电压（700 mV）和高转换效率（20%）的潜力。中国科学院宁波材料
流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗
电流IL，由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。流经负载的电流，经过它们时，必然引起损耗。在等效电路中，可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表示
过程中形成玻璃态造成的大面积漏电。
造成擦片漏电的原因主要为人为操作不规范导致的，1)人为的擦片破坏Si3N4膜面，使Si3N4钝化效果失效;2)绒面凸起部分在人为摩擦过程中极易受损，使电池片p型
效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦
成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100KWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC
