超薄晶体硅

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂
晶体硅太阳能电池的极限效率，29.43%。 制造业积极布局，量产转换效率突破 23%。从海外来看，LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面，中来股份已实现

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子隧穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果
权威测试机构认证光电转换效率超24.5%的单结晶体硅双面电池，标志着天合光能在可差异化高效光伏电池技术研究领域迈出了重要的一步，为向客户提供高效高可靠低成本的光伏组件产品打下了坚实的基础。 天合光能是

薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄 膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场 份额，但这些
太阳能电池的光电转换效率都相对较低，在一个太阳常数条件下 (AM0)，就算是光电转换效率最高的晶体硅薄膜太阳能电池，其光电转换效率也很难突破 25%。 而且材料本身特性对光电转换效率有限制作用，无论是

《巴黎协定》的要求，清洁能源的使用和开发应超过当前水平。因此，人们对低成本太阳能电池模块的开发寄予厚望。 目前，晶体硅(Si)是代表性的太阳能电池材料，占各种类型太阳能电池板的90%以上。然而，随着
的太阳能电池材料相比要高得多。 如此显着的光吸收特性可形成超薄太阳能电池，从而易于收集光生载流子(即电子和空穴)并提高转换效率。理论计算成功地解释了在硫属钙钛矿中观察到的相当强的光吸收源自钙钛矿结构形成的

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
征和掺杂的a-Si:H层。厚度只有几纳米的超薄本征a-Si:H层对SHJ电池的性能有着至关重要的影响。这些层的作用是通过化学钝化c-Si硅片表面上的悬空键以形成Si-Si和Si-H键来抑制表面复合的

第二届非晶硅/晶体硅异质结（HAC）光伏技术发展与 国产化道路论坛将于12月6-7日在江西南昌举行。 论坛宗旨 非晶硅/晶体硅异质结
(HeterojunctionofAmorphousSiliconandCrystalline Silicon, 以下简称 HAC)光伏技术，包括 n 型超薄硅片材料技术、基于 HAC 的太阳 电池及其组件技术、和配套辅材与产线装备技术，逐渐登上了光伏技术

、新材料、新能源、新装备四新产业，多条超薄信息显示玻璃生产线，为下游产业降低了大量成本。王昌华说，比如，薄膜太阳能电池离不开高温玻璃，以前依赖进口产品，如今我们的上游企业也能生产出优质产品，这让
太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。如今市场上的太阳能电池，多是晶体硅太阳能电池，晶体硅电池目前的光电转化率已经基本到达天花板，而薄膜太阳能电池的转化率还有很大的提升空间，而且还具有污染小

工业设计研究院致力于发展新玻璃、新材料、新能源、新装备四新产业，多条超薄信息显示玻璃生产线，为下游产业降低了大量成本。 王昌华说，比如，薄膜太阳能电池离不开高温玻璃，以前依赖进口产品，如今我们的上游
手记 开门创新才能抢占制高点 太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。如今市场上的太阳能电池，多是晶体硅太阳能电池，晶体硅电池目前的光电转化率已经基本到达天花板，而薄膜太阳能电池的

本文摘要 在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以显著降低金属

，受到了行业的焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。 在工艺方面
(28.7%)最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率(29.43%)。 可见，与PERC电池类似的是，TOPCon电池也在背面采用了钝化接触结构，增强了电池性能。而且在工艺方面，TOPCon电池以较小的