超薄晶体硅
型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升了电池的开路电压和短路电流，提高电池效率。
1)LPCVD是
PERC产能已经逐渐停止，目前扩产计划也纷纷转向N型技术产线建设。进入二季度，包括晶科在内的多家厂商TOPCon产能开始释放，有望享受技术溢价。
2.HJT电池
HJT 电池利用晶体硅(c Si
将氯硅烷气体外延沉积为厚的晶体硅层，然后在生长后将其分离，以生产标准厚度的独立晶片，不管是 n 型或 p 型掺杂硅单晶晶片都能生产。
这么好的技术，怎么还没有用在太阳硅片呢?很简单，效率和成本
。
量产目的还需要实现降本。从氯硅烷中直接沉积晶体硅层对于光伏来说是一种有吸引力的选择，可以节省大量的超纯硅材料和能源。因此，基于 CVD 工艺和系统的长期经验，Fraunhofer ISE 开发
)、背电极接触(IBC)等新型晶体硅电池低成本高质量产业化制造技术研究;突破硅颗粒料制备、连续拉晶、N 型与掺镓 P 型硅棒制备、超薄硅片切割等低成本规模化应用技术。开展高效光伏电池与建筑材料结合研究
、高效率、高稳定性、环境友好型的钙钛矿电池;开展晶体硅/钙钛矿、钙钛矿/钙钛矿等高效叠层电池制备及产业化生产技术研究。
高效低成本光伏电池技术
开展隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)、异质结(HJT
诱导衰减现象，可以进一步降低光伏发电的制造成本及系统成本，这使其成为高效晶体硅太阳电池的必选材料。
据德国知名太阳能研究所(ISFH)在2019年的报告分析，以Topcon(Poly
电池技术市场占比变化趋势
在众多的N型电池技术中，N型Poly passivated(隧穿氧化层钝化接触)是其中最被看好的一种，这是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。2013年德国
专家代表参加了会议。
经委员会审阅，《修订PV86，光伏晶体硅组件尺寸规范》、《修订PV63，光伏组件用超薄玻璃规范》、《建筑用光伏组件判废指南》校核SNARF后同意提交2022年第一轮全球投票
。充分听取欧洲区、北美区、日本、台湾等区域SEMI标准技术委员会的意见，以尽快通过组件尺寸调整的规范意见，指导全球光伏组件生产和投用。
近年来晶体硅片和电池尺寸从158.75、166、182、210mm
电极接触区的复合损失;
电子和空穴在衬底内/界面处复合损失;
4. 界面钝化目的4.1 制约传统晶体硅(c-Si)太阳能电池效率进一步提高的关键因素是在金属电极和硅之间的界面处
，TOPCon电池的理论极限效率为28.7%;
5. TOPCon电池结构
5.1 因其特殊的能带结构，超薄氧化层可允许多子隧穿而阻挡少子透过，在其上沉积一层金属作为电极就实现
市场占有率仍在不断扩大。
TOPCon成套银浆产品未来市场空间广阔
据了解，TOPCon 是一种在 PERC 结构电池基础上，在硅片背光面制备超薄膜氧化硅层和沉积高掺杂多晶硅层，以达到降低界面
高性能银铝浆开发项目和薄膜硅/晶体硅异质结(HJT)太阳电池超高导电性低温银浆开发项目以研发新型银浆产品，并取得了突破性进展。2020 年 TOPCon 电池用银浆的市场需求量在 100吨左右，其中聚和
电池片技术
晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性
一种使用超薄氧化 层作为钝化层结构的太阳能电池。由德国 Fraunhofer 研究所的 Frank Feldmann 博 士在 2013 年称的电池概念，近 2 年开始逐步实现产业化
来制作太阳能电池的替代材料。不同于晶体硅太阳能电池，利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料，可制作钙钛矿太阳能电池，属于第三代太阳能电池。
近几年，钙钛矿太阳能电池不断刷新光电转化效率的纪录
薄膜太阳能电池精密制造的领军企业，目前已获授权及申请专利20余项。大正微纳的首席科学家宫坂力教授（日籍）为钙钛矿太阳能电池的发明人，并获得2017年诺贝尔化学奖提名。公司着力于精密狭缝涂布设备的开发，涉及领域涵盖钙钛矿薄膜的精密涂布制备、全固态锂离子电池浆料的涂布以及超薄功能薄膜的涂布等。
超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了 钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅 层同时阻挡少子空穴复合提升了电池的开路电压和
了两者优点的同时也保留了IBC和HJT电池各自生产工艺的难点。
电池新技术层出不穷HJT技术
HJT技术简介：HJT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳电池。这一技术的 原理
