表面钝化
阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率：表面与体钝化技术、Al
想。
SixNy膜层不仅减缓浆料中玻璃体对硅的腐蚀抑制Ag的扩散速度从而使后续快烧工艺温度范围更宽易于调节，而且致密的SixNy膜层是有害杂质良好的阻挡层。同时生成的氢原子对硅片具有表面钝化与体钝化
，太阳能电池转换效率是整个太阳能光伏发电技术的核心。随着局部背钝化电池（Passivated Emitter Rear Cell， PERC）技术和转化效率的提升以及其商业化进程的加快，2016年PERC
、Solamet? PV36x铝浆、Solamet? PV56x背面银浆全套完整的PERC浆料方案，成功地将多晶背钝化电池转换效率提升至19.6%的水平。在60片多晶组件上可达到286瓦的高输出功率，为业界该类
，太阳能电池转换效率是整个太阳能ink"光伏发电技术的核心。随着局部背钝化电池（Passivated Emitter Rear Cell， PERC）技术和转化效率的提升以及其商业化进程的加快，2016年
PV56x背面银浆全套完整的PERC浆料方案，成功地将多晶背钝化电池转换效率提升至19.6%的水平。在60片多晶组件上可达到286瓦的高输出功率，为业界该类型太阳能组件的最高水平。相较于其他晶硅电池，PERC
（Polytechnic University of Catalonia）共同发现利用原子层沉积（AtomicLayer Deposition， ALD）将氧化铝覆盖在黑硅表面作为钝化层，可以有效抑制电子在表面的损失，将
在于：选择性发射极；表面/背面钝化技术；局部扩散的背场技术；N型单晶硅电池；正面无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面
的晶硅太阳电池领域，依赖工艺、材料及电池结构的改进制备量产转化效率超过20%的高效电池是光伏制造业的发展趋势之一，技术发展重点在于：选择性发射极；表面/背面钝化技术；局部扩散的背场技术；N型单晶硅电池
；正面无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面的改善空间较大，高效薄膜电池技术领域的突破有望使其成为光伏制造业未来
大规模产业化。在较为成熟的晶硅太阳电池领域，依赖工艺、材料及电池结构的改进制备量产转化效率超过20%的高效电池是光伏制造业的发展趋势之一，技术发展重点在于：选择性发射极；表面/背面钝化技术；局部扩散的
背场技术；N型单晶硅电池；正面无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面的改善空间较大，高效薄膜电池技术领域的突破
比多晶高出数十倍，从而表现出转换效率优势。
图2 单晶硅片与多晶硅片外观图示
单晶是一种完整的晶格排列，在同样的切片工艺条件下表面缺陷少于
达到25.6%。
③ 采用非晶硅薄层进行双面钝化，电池开压可提升至740毫伏。
④ 全程采用低温制造工艺，可以形成全对称双面电池构造，避免高温制程对硅片的损伤以及弯片现象
同样的切片工艺条件下表面缺陷少于多晶，在电池制造环节，单晶电池的碎片率也是小于1%的，通常情况下是0.8%左右。单晶硅片可以稳定应用金刚线切割工艺，显著降低切片成本，并提高电池转换效率。对多晶而言
非晶硅薄层进行双面钝化，电池开压可提升至740毫伏。④ 全程采用低温制造工艺，可以形成全对称双面电池构造，避免高温制程对硅片的损伤以及弯片现象，能够有效降低组件封装时的碎片率，并且制作双玻组件也非常
索比光伏网讯:为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置
