表面钝化

索比光伏网讯:硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料，其质量对太阳能电池性能具有很重要的影响。一方面，硅片的内部缺陷和杂质会直接影响太阳能电池的效率和稳定性；另一方面，硅片的外观缺陷和表面质量对
和黑斑现象二、硅片少子寿命测试太阳能电池经过去SiN膜、去正反电极、去铝背场和n型层，再经碘酒钝化后，硅片少子寿命测试如下图所示：图4电池片EL测试黑心和黑斑区域少子寿命明显偏低三、硅片位错密度硅片经

国际诸多设备业者陆续计划推出的金属背部钝化层（backsidepassivation）技术及设备。据悉，该技术除让模块端可承袭当下的焊接技术外，效率增加空间被预计达0.2~0.5个百分点。业内人士表示
，当下是创造技术、竞争差异化的黄金期，企业希望借助现在的技术创新为在下个景气反转的战役中有效利用差异化甩开其它竞争对手做准备。近期设备市场积极凝聚推出的新技术之一，即是金属背部钝化层

而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后

索比光伏网讯:光伏业内人士表示，很多中国大陆与台湾地区的光伏制造商已经对能够将太阳能光伏电池的转换效率提升0.2-0.5%的背表面钝化技术及相应设备表示兴趣。具备这项技术以及设备的供应商有德

索比光伏网讯:本文继续介绍晶体硅太阳能光伏电池发射极的腐蚀研究：图一腐蚀对杂质浓度分布的影响：表面浓度显著降低图二重掺杂再腐蚀的发射极杂质浓度分布与一次扩散的发射极有所不同，表面浓度较低，p-n结
更深。图三腐蚀后的少子寿命经过重掺杂再腐蚀，硅片的少子寿命显著提高。对于高的方块电阻，需要相应地调整SiNx镀膜工艺以达到更好的钝化效果。图四腐蚀后的饱和电流相同的方块电阻下，经过重掺杂再腐蚀的饱和电流

大幅度提高Voc，见下图。　　图一暗状态时的I-V特性比较化学钝化和HIT太阳能光伏电池构造的寿命关系采用-PCD法测定HIT太阳能光伏电池的少子寿命。-PCD法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合
速度两方面，但由于是在同一批（LOT）里抽出相邻的芯片，所以可认为体（BULK）的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT构造的钝化性能要比化学钝化（CP法）更优异。　　图二化学

得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面，但由于是在同一批(LOT)里抽出相邻的芯片，所以可认为体(BULK)的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT构造的钝化

而且表面钝化效果也有所增强。批量试制结果显示电池转换效率提高了0.3%。1引言等离子增强气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅(SiNx：H)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。主要存在
三方面的优势：作为减反射薄膜;钝化太阳电池表面从而降低表面复合速度;薄膜中丰富的氢可以钝化体内的缺陷态。影响三个优势体现的关键因素之一就是氮化硅中的硅含量。增加硅的含量，折射率n和消光系数k均相

时，要面临的一个问题是表面的复合与基区的材料质量。已经有实验证实，在使用SiNx作为前表面钝化层和Al作为背面场（BSF）时，当多晶硅片厚度大于200um，Jsc与硅片厚度是相互独立的关系，只有硅片厚度

的目的.烧结过程中有利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结方式：高温快速烧结加热方式：红外线加热烧结过程1、烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况
、烧结时会有一定量的H从硅片中逸出，必然减弱H对硅片的钝化作用。所以要有激冷的步骤以避免过多H的逸出。3、高温前，一定要保证浆料中的有机物已经经过烘干并挥发干净。4、气流过小时会导致排风不畅，使工艺环境