表面钝化

索比光伏网讯:一、钝化发射区电池（PESC）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以

后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降
刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀

传统上大家能够接受的156的大小，180到200的厚度，一到三的电阻率，是均匀的发射极，我们在背面做了钝化工艺，大家可以看到电池的结构，这个剖面图可以看到它的结构，背面主要增加了钝化层，三氧化二铝钝化

（非晶硅薄膜太阳能电池项目）。43.向日葵（300111）：公司已熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均

在技术上的领导地位。Centaurus技术融合了单步选择性发射极技术、局部Al-BSF和绝缘钝化后侧技术。与现在标准工业太阳能电池广泛采用丝网印刷Al-BSF技术相比，centaurus电池可随着开路
电压上升超过10 mV时，极大地减少太后表面复合速率，并且也可以改善长波的内部光反射，使得Jsc达到约1.5 mA/cm。两种效果能将效率水平提高一个百分点，使得平均生产效率高于19.5 %。使用细线

个大绒面上再制小绒面，这使得表面的减反射大大的改进。实际上这项技术已经在研究阶段，在开发阶段，大概有三到五年的时间，从去年逐渐进入市场。在扩散工艺方面，大家看到，原来的扩散炉都是用开管的炉，现在改成用闭管
相应就更好，这个效率就更高。再一个在钝化方面，氮化硅方法原来有两种，大家现在更关注的是把管式的高性能用起来，把高产量用起来，也就是像着管式的炉子发展，我想这个PCVD一旦用了以后我们单位产能

技术所发挥的生产、时间、人力等成本效益都直接体现在光伏生产成本的下降上。据记者了解，应用材料在保有现有技术之时，正在进行将晶硅电池正面的金属线移到电池片的背面以及金属表面涂层钝化的实现，这些技术不仅

，尤其是光伏板正面的工艺，已经接近优化的最大值，若想要突破，必然要出现革命性的技术。 离子注入技术、钝化技术、选择性发射极技术、二次印刷技术、双层金属布线、选择性二极管、背接触技术都成为行业关注的第二代
光伏电池技术。笔者在应用材料公司见到第二代光伏技术的样品，与第一代产品最大的差距就是将所有金属布线后移从而减少遮盖，保证电池板能接收到更多的阳光，同时用防光膜来减少表面缺陷，减少阳光反射。据应用材料

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
（UNSW）的钝化发射区电池（PESC，PERC，PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场（LBSF）电池等。 　　我国在八五和九五期间也进行了高效电池研究，并取得了可喜结果。近年来

南威尔士大学（UNSW）的钝化发射区电池（PESC，PERC，PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场（LBSF）电池等。我国在八五和九五期间也进行了高效电池研究，并取得了可喜
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒