薄膜电池转换效率

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低成本电池的机会:瑞典开发高效不锈钢基板CIGS薄膜电池制造技术来源: 发布时间:2014-01-28 10:41:59

瑞典斯德哥尔摩,2014年1月27日。Midsummer 是一家制造低成本和可挠性CIGS薄膜电池设备的领先供应商。Midsummer 的研发团队开发了高速制造CIGS太阳能电池片在真空状态溅射
成分,由于模组可无框制造并且任意弯曲,因此非常适合应用在城市里的建筑物和其他交通工具上。Midsummer 研发团队的努力证明了再生能源技术的潜能, 成功研发15.0% 孔径面积转换效率的无镉

2014国产多晶硅走向何方?来源:中国电子报 发布时间:2014-01-24 15:42:09

部分也多,因此目前单晶硅的转换效率至少要做到比多晶硅高3个百分点才有竞争力。另外,薄膜电池转换率低,技术短时间内超越晶硅更不太可能实现,由于行业并未完全回暖,新投资进入的可能性不高,无法大规模商业化

第二轮光伏热潮将点亮国内CIGS薄膜太阳能电池行业来源:东方财富网 发布时间:2014-01-22 23:59:59

CuIn1-xGaxSe2四元化合物,CIGS薄膜电池具有优异的太阳能吸收特性,理论上的光电转换效率(即每平方米太阳能电池单元将日照能量转换为电能的转换效率)可达25-30%,目前实验室最高光电转换效率达到

汉能李河君受多哥总统会见 薄膜光伏助当地产业“大升级”来源:新华网 发布时间:2014-01-22 11:02:01

三叠层硅锗生产线操作流程,在生产效率及降低成本上达致另一创新领域。集团正致力研发新一代太阳能薄膜技术,包括转换效率更高、更稳定之纳米硅薄膜技术,及转换效率媲美多晶硅技术的铜銦鎵硒(CIGS)薄膜太阳能
在于新能源,新能源的希望在光伏,光伏的希望在薄膜。 汉能李河君也曾表示,薄膜化、柔性化是全球太阳能发展的总趋势和方向。薄膜电池柔性、轻质的特点使其具有广阔应用市场,如光伏建筑一体化、屋顶电站

工信部《光伏准入条件》中的霸王条款来源:中国光伏测试网 发布时间:2014-01-20 09:37:20

%,组件效率不低于16.5%和17.5%,其他薄膜电池组件的光电转换效率也有规定。对光电转换效率和组件效率的规定,一方面是因为目前的光电技术已经发展到一定水平,一般企业达到这个能力已经不是问题,另一方面光电效率

评点《光伏制造行业规范条件》中的霸王条款来源:中国光伏测试网 发布时间:2014-01-20 07:55:17

寿命等都有规定。对新建和改扩建项目的要求则更高,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%,组件效率不低于16.5%和17.5%,其他薄膜电池组件的光电转换效率也有规定。 对光电转换效率

预测分析:高端光伏幕墙发展将成主流来源: 发布时间:2014-01-15 14:00:59

。据了解,目前光伏幕墙有晶体硅材料幕墙和非晶硅材料幕墙这两种主要的技术模式。相对于晶体硅幕墙,非晶硅目前虽然发展相对较晚,且光电转换效率低于晶体硅材料,但非晶硅幕墙所采用的光伏组件薄膜电池本身透光性
幕墙主要是通过墙面倾斜设计来适应不同的光照条件。发展到现在,也可根据薄膜电池较为柔韧的特性直接通过在玻璃夹层内倾斜式镶嵌来实现最大光照利用。例如,位于长沙的中建大厦就是一座应用薄膜光电幕墙的建筑。在其

工信部第二、三批光伏准入名单有限 企业如何申报?来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2014-01-14 09:16:02

%和17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于

工信部第二、三批光伏“准入”名单有限 企业如何申报?来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2014-01-14 08:54:14

15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。相关新闻工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)工信部109家
多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。此外,多晶硅电池组件和

多晶硅的前世今生来源:solartest 发布时间:2014-01-13 08:31:47

),多晶硅太阳能电池是兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶 硅薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池。 在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲,要使太阳能发电
歧化反应生成SiH4 ,即:3SiCl4+ Si+ 2H2= 4SiHCl3,2SiHC13= SiH2Cl2+ SiC14,3SiH2C12=SiH4+ 2SiHC13。由于上述每一步的转换效率都比