半导体薄膜CVD设备产业化项目),主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置,形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地。该项目建设期为2年,达产后每年新增20GW
PERC+高效新型电池湿法设备,新增20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。
此外,公司拟投资33,438.34万元,拟在深圳市坪山区新建二合一透明导电膜设备
社会发展的趋势。
截止2019年全球光伏组件产能为218.7GW,较2018年同比增长14.9%;产量为138.2GW,较2018年同比增长19.3%,产能利用率为63.2%。
资料来源
:中国光伏行业协会、智研咨询整理
全球太阳能光伏组件主要以晶硅为主,2019年晶硅类光伏组件占比为95.6%,薄膜类光伏组件占比为4.4%。
资料来源:中国光伏行业协会、智研咨询整理
中国为全球最大
湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备产业化项目),主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置,并经过产业化验证后,形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地
。
该项目计划建设期为 2 年,完全达产后每年新增 20GW Perc+高效新型电池湿法设备,新增 20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。
公司拟投资
、新奥等薄膜企业黯然退场;汉能光伏却在高点接盘了薄膜路线产能,故事到今天也没有结束。
至于金属硅和废硅回收,再无提及。
2、2013-2019年,硅片单晶替代多晶
2008年金
毁灭性创新两次能级跃迁复盘
光伏历史上有两次技术迭代带来的行业跃迁:晶体硅替代薄膜路线和单晶硅片替代多晶硅片。
完全不同的新技术替代了难以升级的老技术形成转换效率的跃迁,摧毁了现存者的资产负债表
。首先是PERC,是主流技术,目前全球产能已经超过200GW,年产量超过150GW。在PERC基础上,如果背面不用铝浆,改成局部铝栅线,可以简单升级成双面PERC结构,双面率可以达到7080%,已经成
。大部分厂家在考虑技术升级,其中的一种升级方案,就是Topcon结构。
Topcon是一种钝化接触结构,基本原理是在N型硅片背面沉积一层很薄氧化硅,然后再沉积一层重掺杂的多晶硅薄膜,实现背面的钝化接触
组件。 趋势七:玻璃产能渐宽松 随着光伏玻璃产能的逐渐扩张,今年的基本面应该是供过于求,价格会有所回落。 在2021-2022年组件需求的乐观情境下,除去薄膜组件后,今年102GW的单面、17GW
2019年底,摩洛哥的太阳能装机容量为736兆瓦,整个可再生能源的生产能力为3264兆瓦。
2017年,阿联酋发布2050能源战略,目标是到2050年阿联酋能源结构中44%为可再生能源、38%为
、采购、建设、开发等都将持续拥有巨大需求。中国参与的一些能源发展项目正在成为共建一带一路框架下北非电力走廊的一部分,将惠及埃及、阿尔及利亚、突尼斯、摩洛哥和苏丹等国。
汉能薄膜发电集团埃及国际公司总裁杨
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等,目前对应设备投入约4.5亿/GW。
值得注意的是,虽然某些工序/设备名称一样,但是实际区别较大,例如
PECVD设备,PECVD全称为等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),实际是一种钝化/镀膜方式,可以用来沉积不同的薄膜
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等,目前对应设备投入约4.5亿/GW。
值得注意的是,虽然某些工序/设备名称一样,但是实际区别较大
薄膜。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜,在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜,在HJT中用来沉积非晶硅薄膜,因为沉积的薄膜不同,设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大
注册要求)清单》,包含在清单中的六种产品需要通过BIS认证才能在印度市场销售。
强制范围产品包括:地面用晶体硅光伏组件、薄膜光伏组件、其它光伏组件、光伏电力系统用变流器、并网光伏逆变器、储能电池等
政府又将这一目标提高到2020年实现光伏装机225GW。
然而印度光伏产业严重依赖进口,典型的如光伏组件,印度自主生产的光伏组件效率极低,年产能只有3GW,其中又有百分之五十由于技术落后而无法上网