薄晶体薄膜

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赛维濒临破产 A股光伏企业现状解析来源: 发布时间:2012-07-27 09:00:59

7.29元。东北证券认为:未来两年公司经营迎来拐点,产能跃上新台阶,业绩进入收获期。公司目前规模小,2010年晶体硅电池和非晶硅薄膜电池销售量仅约35MW和17MW。2011年后乐山、渭南两条太阳能
电池生产线投产,晶体硅电池产能将增长到200mw,之后进一步扩充到300-500MW。非晶硅薄膜电池产能增长到175mw。 下一

赛维濒临破产 A股光伏公司现状分析来源:证券时报 发布时间:2012-07-25 23:59:59

经营迎来拐点,产能跃上新台阶,业绩进入收获期。公司目前规模小,2010 年晶体硅电池和非晶硅薄膜电池销售量仅约 35MW 和17MW 。2011 年后乐山、渭南两条太阳能电池生产线投产, 晶体
硅电池产能将增长到200mw , 之后进一步扩充到 300-500MW。非晶硅薄膜电池产能增长到175mw。  生产设备和原材料自制与产业链纵向延伸是公司毛利率持续高于同行的关键。公司晶体硅电池生产线70%设备

政策利好 光伏股底部崛起来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2012-07-23 09:12:34

片、50MW单晶硅电池片、100MW晶体硅电池组件三个扩产项目以及一个研发中心项目的建设,公司预计募投项目全部建成后可实现净利润2.96亿元。  新股投资建议  我们预计公司IPO摊薄后2010年
亿元,增发摊薄后增厚EPS约0.60元;12年保守估计切割钢丝产量达12200吨,则贡献收入12.7亿元,增发摊薄后增厚(摊薄13%左右)EPS达1.4元左右;预计公司10-12年EPS为0.39元

中国展开多晶硅反击战 12股或咸鱼翻身来源: 发布时间:2012-07-18 10:45:59

多晶硅成本的下降,晶体硅太阳能电池正成为主流。近期江西赛维LDK将获得国开行不超过人民币600亿元(合89亿美元)的授信支持扩大现有生产规模,以及无锡尚德将其薄膜电池生产线改建成晶体硅太阳能生产线,即是

中国展开多晶硅反击战 12股面临咸鱼翻身来源:中国证券网 发布时间:2012-07-18 10:45:09

多晶硅成本的下降,晶体硅太阳能电池正成为主流。近期江西赛维LDK将获得国开行不超过人民币600亿元(合89亿美元)的授信支持扩大现有生产规模,以及无锡尚德将其薄膜电池生产线改建成晶体硅太阳能生产线,即是

北美光伏展Intersolar North America圆满结束来源: 发布时间:2012-07-17 09:16:12

流程,从而能够提高效率。我们非常高兴实现了普通PERC电池效率超过20%的目标,面积大、仅包括一个同种发射器和银筛网印刷触点。这展示了我们使晶体硅太阳能电池同时具备性能高、流程简化的能力。Talesun
Tinuvin1600,这是一个紫外线光吸收器,专门用于透明户外薄切片应用。该公司指出Tinuvin1600有助于使产品坚固耐用,而且可能延长产品暴露在强烈的紫外线照射下的寿命。BASF表示其产品适合长期户外应用

“双反”大战 A股光伏企业“刀枪不入”来源: 发布时间:2012-06-21 10:10:39

点。公司主营高档浮法玻璃原片、工程及建筑玻璃、汽车玻璃、精细玻璃、光伏科技绿色能源产品(高纯硅材料、太阳能超白玻璃、晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池及其组件)建筑玻璃幕墙及太阳能光伏幕墙工程的设计与安装
组件和供电系统,LED照明和大型LED显示屏工程,能够设计和制造非晶硅太阳能电池成套设备和大多数晶体硅太阳能电池生产设备,产品已销全球51个国家和地区,进入欧美八大超级市场和电站工程,企业品牌

美国光伏双反对A股企业没有直接影响来源: 发布时间:2012-06-21 08:55:59

(高纯硅材料、太阳能超白玻璃、晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池及其组件)建筑玻璃幕墙及太阳能光伏幕墙工程的设计与安装等业务。据08年中报显示,太阳能产业已正式成为公司主营业务中的一部分。江苏阳光公司是
和大多数晶体硅太阳能电池生产设备,产品已销全球51个国家和地区,进入欧美八大超级市场和电站工程,企业品牌TOPRAYSOLAR在国际上具有较高的知名度,是深圳知名品牌。公司坚持自主创新战略,是深圳市

用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响来源:SEMI 发布时间:2012-06-20 23:59:59

TCO层和背表面场结构。这种无本征非晶层的初始Si薄膜晶体太阳电池的转换效率在0.63cm2已达到6.8%。我们进一步用TEM测量研究界面质量,确认其界面结构减少了界面的缺陷密度。优化ECR-CVD系统
(ECR-CVD)制备异质结太阳电池。ECR-CVD具有以下几个好处:改善淀积工艺的控制、对生长薄膜的离子损伤少、等离子密度高以及有可能得到高淀积速率。许多作者已经报道了用ECR-CVD在低温下淀积微晶(c

HIT电池表面钝化技术的研究来源: 发布时间:2012-06-11 09:55:03

途径是用宽带隙的a-Si:H作为窗口层或发射层,单晶硅、多晶硅作衬底,形成所谓的异质结太阳电池。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势,又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点,具有实现高效、低成本太阳电池
索比光伏网讯:摘要:本文采用PECVD技术沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢