薄晶体薄膜

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背接触硅太阳电池研究进展来源: 发布时间:2012-06-04 11:07:28

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
通过PECVD沉积双层SiNx薄膜,以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术,烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。这种台阶结构成为RISE电池最大的结构特点。背面经磷扩散后

太阳能电池多层膜检测难题得到解决来源: 发布时间:2012-05-29 17:36:10

索比光伏网讯:导语:晶硅电池的衬底需要经过制绒以提高光能的吸收,这导致了信噪比被大大削弱以及退偏影响的产生,这些问题一直阻碍着全光谱椭偏仪在晶体硅电池的运用。在SNEC展会上,系科仪器展示的
太阳能电池检测工具RISE型光谱椭偏仪,不但能更精准的对薄膜电池多层减反膜进行测量分析,同时也成功地解决了衬底制绒的晶硅电池多层减反膜的测量分析问题。自2011以来,行业持续低迷,很多光伏企业将主要精力都放在

温家宝力挺太阳能光纤入户 7股逆势狂飙来源:英大证券 发布时间:2012-05-24 23:59:59

,并且以谨慎态度来预测公司11年4800吨切割钢丝产能释放,则带来收入5.2亿元,增发摊薄后增厚EPS约0.60元;12年保守估计切割钢丝产量达12200吨,则贡献收入12.7亿元,增发摊薄后增厚(摊薄

温总理力挺太阳能光纤入户 16股逆势狂飙来源:中国证券网 发布时间:2012-05-24 09:15:22

-切割片-电池片等制造领域,想象空间巨大。我们仅根据公司新增太阳能晶硅切割线项目,并且以谨慎态度来预测公司11年4800吨切割钢丝产能释放,则带来收入5.2亿元,增发摊薄后增厚EPS约0.60元;12年保守
估计切割钢丝产量达12200吨,则贡献收入12.7亿元,增发摊薄后增厚(摊薄13%左右)EPS达1.4元左右;预计公司10-12年EPS为0.39元、0.88元和1.65元;对应10-12年PE为77

爱康组建广东“光伏航母” 集中优势抱团成长来源: 发布时间:2012-05-16 11:11:59

,已经成为当时三水的共识。三水太阳能的第一个里程碑事件发生在2009年1月,总投资50多亿元的中国建材集团薄膜太阳能电池研发、装备、制造项目签约落户三水。当时正是三水大举引进新兴产业的时期,在这个太阳能项目
,三水光伏产区在业界的影响也得以提升。2010年8月,乐平镇成功申报了广东省首个光伏专业镇称号。紧接着,三水就在9月召开了广东光伏产业(三水)国际高峰论坛。在这场论坛上,不仅成立了国内第一个薄膜

激光加工在非晶硅薄膜太阳能电池制造中的应用来源: 发布时间:2012-05-15 16:38:01

电池之间建立串联连接结构非晶硅薄膜太阳能电池简目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池受上游晶体硅材料供应的短缺,导致

索罗斯暗中调研聚焦光伏 12股有望拔地而起来源: 发布时间:2012-05-15 10:24:32

5.2亿元,增发摊薄后增厚EPS约0.60元;12年保守估计切割钢丝产量达12200吨,则贡献收入12.7亿元,增发摊薄后增厚(摊薄13%左右)EPS达1.4元左右;预计公司10-12年EPS为0.39元

列数各类高效晶硅太阳能电池来源:OFweek 发布时间:2012-05-07 10:55:18

硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池(PESC)的薄氧化层(<10nm)发展到PCC/PERC/PER1。电池的厚氧化层(110nm)。此外,表面V型槽和倒金字塔技术
复合均低的优势),衬底减薄到约100m,以进一步减小体内复合。这种电池的转换效率在AM1.5下为22.3%。   (3)德国Fraunhofer太阳能研究所的深结局部背场电池(LBSF

列数各类高效晶硅太阳能光伏电池来源: 发布时间:2012-05-07 09:06:56

结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池(PESC)的薄氧化层(<10nm)发展到PCC/PERC/PER1。电池的厚氧化层(110nm)。此外,表面V型槽和倒
的发射区被设计成点状,50m间距,10m扩散区,5m接触孔径,基区也作成同样的形状,这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料(取其表面及体内复合均低的优势),衬底减薄到约100m,以进一步减小体内复合

高效HIT光伏电池技术调研(三)来源: 发布时间:2012-04-27 09:12:18

方便从实验室转换到生产线上。在HIT太阳能光伏电池中,非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后,缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接