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技术手段维系供需稳定 铟不会制约薄膜太阳能发展来源:中国日报网 发布时间:2019-01-18 11:34:11

等离子喷涂靶材技术、靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收、RC镀膜产生固废铟回收、芯片切割及Web边缘的铟回收等手段,都是目前较为可靠的方案,可以大幅降低对铟的市场需求。此外,在铜铟镓硒电池中适当增加镓的
成分、减薄电池膜层等方式,也可以减少铟的用量。经测算,靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收率为98%,RC镀膜产生固废及无效Web上的铟回收率为95%,铜铟镓硒芯片转换效率以及生产良率的持续稳步提升,也能够

协鑫新能源荣获“2018金港股最具社会责任上市公司”奖来源:协鑫新能源 发布时间:2019-01-16 14:24:37

港股企业出席,既涵盖能源、金融、汽车、工业制造等传统产业,又囊括通信、芯片制造、互联网、医疗医药等引领中国经济转型的新兴产业,超过90%为港股通标的,占据当前港股总市值的1/2。此外,有超过200家银行、证券、保险、信托、资管等金融机构,上千投资人出席了本次活动。

探秘金属“铟”:在薄膜太阳能产业发展下供需平稳来源:中国新闻网 发布时间:2019-01-10 16:50:26

随着移动能源时代的全面到来,薄膜太阳能产业正迎来爆发式增长。薄膜太阳能芯片轻、薄、柔,可以像英特尔芯片一样嵌入各类载体,大到城市摩天大楼,小到邻里屋顶,或是街边的阳伞,路上奔跑的汽车、快递车
方案:通过新型等离子喷涂靶材技术的开发、靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收、RC镀膜产生固废铟回收、芯片切割及Web边缘的铟回收等手段,可以大幅降低对铟的市场需求。此外,在铜铟镓硒电池中适当增加镓的成分、减

收评:三大股指低开低走沪指跌0.4% 光伏板块活跃来源:新浪财经 发布时间:2019-01-10 15:18:07

民营企业经营成本,宁夏改革供地方式,对工业用地采取出租与出让结合、先出租后出让的方式供地,多举措提高土地资源配置效率,保障民营经济项目依法依规用地。 6、华为1月9日在北京发布了业界首款搭载了AI芯片

1个原则3种途径,朱共山教你走过“非补贴元年”来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2019-01-10 14:33:58

及其配套生态系统产业基地三大基地,三大战略需要同时发力,无论是老的硅材料,还是现在新增加的芯片业务,都需要调整并优化整个结构,朱共山说。 又及,重注技术升级。朱共山表示,让高端装备和效率的提升错位

知否知否,开启光伏人的2019!来源:昱能科技 发布时间:2019-01-02 14:29:30

取得了不错的成绩 推出了具有4路MPPT的新一代微型逆变器QS1200 直流端智控关断器系列产品正式市场化应用 打造全新EMA数字化能源管理平台 成立合资公司 提供MLPE组件级电子的专用芯片
实现以芯片为核,硬件为体、软件为魂的全新布局 展望2019 昱能有更多的目标与期许 希望伴随着行业回暖的春风 与千千万万的光伏人共同努力 助力光伏行业更好的发展 将光伏推向数字化发展之路 让绿色能源之光照亮更多的土地! 对于2019年 您是否有更多的期许?

薄膜电池技术进步 业内称铟储量不会制约其发展来源:中国网财经 发布时间:2018-12-26 16:29:03

新型等离子喷涂靶材技术的开发、靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收、镀膜产生固废铟回收、芯片回收等手段,可以大幅降低对铟的市场需求。此外,在铜铟镓硒电池中适当增加镓的成分、减薄电池膜层等方式,也可以减少铟的
用量。经测算,铜铟镓硒芯片转换效率以及生产良率的持续稳步提升,也能够降低约15%左右的铟用量需求。 从产业演进看,全球薄膜太阳能产业发展方向已定,加上能源升级、产业转型等因素,万亿级薄膜太阳能市场将

大事记 昱能和您一起走过的2018来源:昱能科技 发布时间:2018-12-26 13:32:55

SNEC展会 5月28日 新品微型逆变器QS1200、智控关断器重磅推出 5月28日 与士兰微共同投资成立英达威芯电子有限公司并发布关断器专用芯片IP0112 6月20日

国家电网公司发布深化改革十大举措!来源:电网头条 发布时间:2018-12-26 09:01:42

、中游行业应用和下游基础硬件的完整产业链。拟在智能芯片、北斗位置服务等领域引入社会资本,研究推进优质资产上市,弥补产业短板,进一步激发企业创新能力和发展活力。 9推进通航业务混合所有制改革

武汉首个百兆瓦级全钒液流储能电站落户东西湖区来源:长江日报 发布时间:2018-12-21 15:12:18

随着京东方武汉10.5代线在内的重大项目封顶,芯片显示屏千亿产业集群逐渐成型,预计于2020年集中投产、产生效益。为提前做好重大项目备用电源支持,19日,我市首个百兆瓦级全钒液流储能电站落户武汉临
电网进行谷电峰用、智能电网、高精企业应急等供电服务。 据了解,该项目其位于国家网络安全人才与创新基地二期地块,邻近芯片显示屏千亿产业集群,总投资60亿元。一期将建设100MW全钒液流储能电站项目,二期