良率
：直接掺杂。LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕度，但扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的 LPCVD，投资成本高、良率更高，主要
，HJT 仅需 4 道工序即可完成，从生产效率和产品良率上更有优势和提升空间，而良率也是目前 TOPCon 产业化遇到的最大瓶颈。同时，HJT 是在250℃低温环境下制备，相比于传统 P-N 结在 900
25.5%单线产能达到500MW、良率大于98%、生产成本优于现有PERC产线。 双方签约合作的这条异质结量产线，计划集合硅片吸杂、异质结半片工艺等技术。该产线计划使用华晟开发的单面微晶和双面微晶工艺
效率大于25.5%单线产能达到500MW、良率大于98%、生产成本优于现有PERC产线。 双方签约合作的这条异质结量产线，计划集合硅片吸杂、异质结半片工艺等技术。该产线计划使用
海优新材创新式的研发出了多层共挤型 POE胶膜，使其兼备POE的抗PID性能以及EVA的高良率和层压效率，并且减少 POE使用量，实现降本增效，目前已一线组件厂商正在纷纷导入并批量使用。(报告来源：未来
的应用场景逐渐清晰：(1)透明及白色EVA胶膜：目前单 玻组件通常采用常规透明EVA胶膜及白膜进行前后搭配封装，白色EVA胶膜具有较 高反射率，作为底层胶膜能够有效提高电池片间隙入射光及组件透射光的
发展。
Taiyangnews：TOPCon面临的主要挑战是什么?如何克服这些挑战?
陈嘉：目前TOPCon的工艺流程依然很复杂，良率也会在生产过程中受到影响。我们推出的J-TOPCon2.0技术，将
TOPCon的12步工艺流程缩短为9步，这不仅会很大程度上降低成本，还能够在TOPCon产能上升到10-20GW水平时保持更高的良率。另外，TOPCon的银消耗量依然高于PERC，如果要使这两种技术生产成本
生产良率。晋能科技近期三大目标为：跨越异质结转换效率25%的台阶;将异质结单瓦成本降低到与主流PERC持平，突出发电优势;推动设备投资每GW低于3亿元人民币。
截至目前，晋能科技向30多个国家与地区
。
晋能科技电站运营实测数据显示，异质结组件与常规组件相比首年衰减大幅降低，温度系数与双面率优化显著，异质结组件单面每瓦的发电量可以提高大概17%，对度电成本与运维成本降低有明显的效果，且工序更加简单，有效提升
。LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕度，但扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，投资成本高、良率更高，主要是隆基股份布局
低提高了组件的光电转化率。因加工动作翻倍，半片电池对串焊产能需求为原来的两倍，三分片对串焊机需求为原来的三倍，因此未来受半片(或若干分之一片)驱动的串焊机以及划片机需求将会翻倍
，良率上目前已经与PERC非常相似。
晶科能源副总裁钱晶认为，TOPCon相较于异质结的一大优势在于可获得性，以及规模化之后的先发优势：更早积累电站数据、更易获得融资，进而形成铺开的加速度。从海外需求
产能提升加速，到2023年底产能预期约接近80GW。随着大尺寸导入，良率和效率的提升，TOPCon的非硅成本将逐渐接近PERC。
PERC的8道和TOPCon的10道工艺，HJT仅需4道工序即可完成，在250℃低温环境下制备，相比于传统P-N结在900℃高温下制备，有利于薄片化和降低热损伤来降低硅片成本，从生产效率和产品良率上更有优势
技术。
1)双面发电提升效率。HJT双面对称结构，发电量要超出单面电池10%+，目前双面率已经达到95%，相比其他工艺路线有明显的发电增益优势;
2)光衰减低+温度系数低，稳定性强。HJT电池通过
，组件功率与效率更胜一筹;无损切割技术与半片技术有效提升组件良率，隐裂风险与内部损耗显著降低。高效单晶PERC太阳能组件具有杰出的抗PID及抗热斑性能，组件具有更优良的可靠性;超高效异质结太阳能组件则
