背表面钝化技术

生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射、太阳能电池背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术。 　　同时，作为国家高新技术企业，向日葵光能科技承担了

熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术,包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射、太阳能电池背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术;晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5

利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接。 图5 CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌 　　 2． 碲化镉薄膜的表面腐蚀技术 　　 刚沉积的碲化镉薄膜

，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统

，Jsc为36.8mA/cm2，FF为0.76。采用了减小单元表面电极的背接触式（Back Contact）结构。该公司表示，如果采用背面钝化结构等，转换效率可超过18％。 （编辑：xiaoyao)

技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路

SHARP公司、美国的SUNPOWER公司以及欧空局为代表，在空间太阳电池的研究发展方面领先。其中，以发展背表面场（BSF）、背表面反射器（BSR）、双层减反射膜技术为第一代高效硅太阳电池，这种类型的电池典型

表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接
。 图5 CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌 2． 碲化镉薄膜的表面腐蚀技术 刚沉积的碲化镉薄膜载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380

硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射
第三个时期。这个时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用

接触 （９）制备电极 （１０）钝化：晶粒间界的钝化和表面钝化 目前，几乎所有制备体单晶硅高效电池的实验室技术均已用在制备多晶硅薄膜太阳电池的工艺上，甚至还包括一些制备集成电路的方法和工艺