背表面钝化技术

索比光伏网讯:LGBC电池是有激光刻槽埋栅电极 (Laser groove bury contact) 工艺电池的简称。由UNSW开发的技术，是利用激光技术在硅表面上刻槽，然后埋入金属，以起到前
已经转让给好几家世界上规模较大的太阳能电池生产厂。如英国的BP SOLAR和美国的SOLAREX等。激光刻槽埋栅电池的大致工艺流程为：硅片-清洗制绒-淡磷扩散-热氧化钝化-开槽-槽区浓磷扩散-背面蒸铝-烧背场-化学镀埋栅-背面电极-减反射膜-去边烧结-测试。(作者：和海一样的新能源)

，适用于较薄的硅片，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可
、SiO2、SnO2、ZnS、MgF2单层或双层减反射膜。在制好绒面的电池表面上蒸镀减反射膜后可以使反射率降至2%左右。(3) 钝化层：钝化工艺可以有效地减弱光生载流子在某些区域的复合。一般高效太阳电池

高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池

加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅

平均效率可超过19.5%，其最高效率甚至可达19.8%。这些数字再一次证实了我们的技术处于领先地位。Centaurus技术将单步选择性发射极技术和铝背场，背表面钝化技术结合在了一起。和当前行业标准的

选择性发射极技术和铝背场，背表面钝化技术结合在了一起。和当前行业标准的丝网印刷铝背场的太阳能电池相比，centaurus电池大大降低了背表面复合速率，同时增大了Voc超过10mV。另外，还改善了长波长光的

较低。要进一步提高电池效率，通常需要对p-Si电池背表面实现有效的钝化，通常可以采用Al2O3作为钝化层。这一额外的Al2O3钝化层制作工艺增加了电池的工艺复杂度，不利于电池成本的缩减。中科院宁波材料

Energy）发表了两项技术突破，其中一项是名为CELCO的电池技术，通过结合背面钝化和局部背电极技术，采用6寸（156x156mm）p型Cz单晶硅片生产出CELCO电池的效率可以达到20.2%，目前该

比较高，电池的效率较低。要进一步提高电池效率，通常需要对p-Si电池背表面实现有效的钝化，通常可以采用Al2O3作为钝化层。这一额外的Al2O3钝化层制作工艺增加了电池的工艺复杂度，不利于电池成本的缩减

TCO层和背表面场结构。这种无本征非晶层的初始Si薄膜晶体太阳电池的转换效率在0.63cm2已达到6.8%。我们进一步用TEM测量研究界面质量，确认其界面结构减少了界面的缺陷密度。优化ECR-CVD系统
200m的n型CZ晶片（100）。淀积工艺前，硅晶片用ACE/IPA清洗除去油渍，并用DI水冲洗5分钟。为了除去SiO2并实现表面钝化，硅晶片用2%氢氟酸浸泡1分钟。硅衬底上生长掺杂层后，用电子枪蒸发