背膜

铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时，单晶硅原子以一定的比例
／min，而普通网带炉的运行速度一般只有200mm／min。高速烧结会使网带的运行平稳性变差，在电池片的背电极面造成网纹，影响外观质量，甚至会造成破片。此外，高速烧结如何在很短的时间内使网带迅速降温

索比光伏网讯:晶硅太阳能电池在70年代初引入地面应用，在石油危机和降低成本的推动下，太阳能电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。例如：（1）背表面电场
（BSF）电池在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。（2）紫光电他这种电池最早（1972）是为

，尤其是光伏板正面的工艺，已经接近优化的最大值，若想要突破，必然要出现革命性的技术。 离子注入技术、钝化技术、选择性发射极技术、二次印刷技术、双层金属布线、选择性二极管、背接触技术都成为行业关注的第二代
光伏电池技术。笔者在应用材料公司见到第二代光伏技术的样品，与第一代产品最大的差距就是将所有金属布线后移从而减少遮盖，保证电池板能接收到更多的阳光，同时用防光膜来减少表面缺陷，减少阳光反射。据应用材料

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。 　　常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对高效单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的

决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场
）Kysera电池日本ky0cera公司在多晶硅高效电池上采用体钝化和表面钝化技术，PECVDSiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成。电池前面栅线也

运行，我区却逆市加仓，进行着产业布局。根据区发改局最近开展的武进区新能源产业发展情况调研显示，目前，我区已建或在建的光伏企业有19家，涵盖硅棒、硅锭、硅片、电池片、电池组件、逆变器、电池背膜等产品的生产

和黑斑现象二、硅片少子寿命测试太阳能电池经过去SiN膜、去正反电极、去铝背场和n型层，再经碘酒钝化后，硅片少子寿命测试如下图所示：图4电池片EL测试黑心和黑斑区域少子寿命明显偏低三、硅片位错密度硅片经

硬化膜基膜等产品的开发和销售力度,替代同类进口产品。由于光学基膜生产要求较高,我们判断公司在设备运行初期仍将以生产太阳能背材基膜等相对低端的产品为主,待运行稳定之后将逐步扩大光学基膜的供应量,届时公司
主要光学基膜客户宁波激智一季度销售非常突出,导致对基膜的需求量增加,这在一定程度上弥补了公司太阳能背材基膜收入下滑带来的影响。公司公告称，2012年将利用3#生产线在线涂层技术,加大光学棱镜片基膜和光学

（backsidepassivation），太阳能业者解释，该技术主要是将AL2O3薄膜作为P型太阳能光伏电池背面钝化膜或N型电池正面，主要目的就是让阳光在电池中产生的电子及电动可安全的到达电路，而不是像其它技术般又双双
）、选择性射极（SelectiveEmitter）、发射极钻孔卷绕（EmitterWrapThrough;EWT）、金属贯穿式背电极（metalWrapThrough;MWT）或金属背部钝化层，最重

，结果见表1。丝网印刷正背电极以及铝背场，烧结制成成品电池片。表1氮化硅薄膜的结构参数(折射率在633nm处)3结果与讨论图1给出了表1中对应的未印刷电极时氮化硅减反膜在空气中的反射率，可以看出在短波部分