- 新闻
- 企业
- 供应
- 求购
- 视频
- 图库
- 专题
- 会议
- 大咖
- 展会
- 图书馆
聚光型
历史古已有之。公元前9世纪，中国人开始用阳燧(凹面镜)聚光取火。公元7世纪，开始使用凸透境聚集太阳能取火。
到了近代，太阳能的利用变得普遍。1950年代，太阳能利用领域取得两项重大技术突破：一是
1954年美国贝尔实验室研制出6%的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。这两项突破为太阳能利用的普遍应用奠定了技术基础。
1970
如果把光伏系统看成一个人，那组件、逆变器、支架、线缆分别是什么?
IEC国际标准委WG7跟踪及聚光组召集人、中信博研究院院长王士涛做了一个生动的比喻：组件是大脑，决定电站发电效率;逆变器是心脏，是
20%。
值得注意的是，第三批领跑者中，P型双面、N型双面组件的应用规模合计超过3.4GW，显然，双面发电已经成为应用领域的重要趋势，对支架提出了新的要求。如果组件下方有横梁，会对反面造成遮挡，影响
效率达到38.5%的C3MJ型电池改进而来，从2009年年中起就开始在公司洛杉矶附近西尔马市的工厂生产。
首批C3MJ+电池预计明年1月份开始交货。
这些高效太阳能电池吸引了一大批新老客户的目光
。Spectrolab公司负责聚光光伏业务的主管拉斯琼斯表示，去年我们试产的电池创造了41.6%的转换效率世界纪录。我们正在把这种技术引用于生产，第一批效率达到39.2%的电池预计明年1月就可以交付使用
是对太阳能电池组件的性能、信赖性及安全性的确保认证，获得证书的企业可以享受日本相关政府机构提供的补贴。
2、认证范围：
在地上设置的太阳光发电系统使用的非聚光形的地上用结晶系统、薄膜系统太阳能电池
)是日本唯一一所能进行太阳能组件认证的注册认证机构。
4、认证标准：
IEC61215(JIS C 8990)晶硅型、IEC61646(JIS C 8991)波模型、IEC61730-1 & -2
制成超薄型电池。
GaAs是直接带隙半导体，而Si是间接带隙半导体，在可见光到红外的光谱内，GaAs的吸收效率要远远高于Si。同样吸收95%的太阳光，Si需要150m以上的厚度，但是GaAs只需要5m
)太阳电池小很多。200℃时，Si太阳电池已不能工作，而GaAs太阳电池的效率仍有约10%。这使得GaAs电池可以在聚光领域有很好的应用。
(4)抗辐射性能好
GaAs少子寿命短，在离结几个扩散度外
。
针对这一挑战，熊宇杰小组设计了一类尺寸为50纳米且具有内凹型结构的金属钯纳米材料，通过降低结构对称性和增大颗粒尺寸，使其能够在可见光宽谱范围内吸光，吸光后的光热效应足以为有机加氢反应提供热源。该设计
的独特之处在于，纳米结构的尖端棱角处具有超强的聚光能力从而产生局部高温，并且棱角处也是加氢反应的高活性位点，实现了太阳能利用和催化活性的合二为一。基于该设计，他们开发出的金属钯纳米材料在室温光照下即可
光学系统，将光线汇聚在微小的太空级多接头光伏电池阵列上。现有的屋顶型太阳能标准电池组件效率通常为 17-19%。早在两年前， Insolight已经制作出了第一个实验室电池组件原型，而此次的预生产
能源成本。借助聚光效果，只需覆盖电池板组件不到 0.5%的总面积 ，即可达到理想性能，从而实现高效率太空级太阳能电池在主流市场的应用。
2018 年 11 月， IES-UPM 验证
其与双面技术的兼容性。
聚光电池
首先，我们来看一下聚光电池技术。通过汇聚太阳光，会产生更多的载流子，同时其复合保持不变，这样开路电压就会升高，太阳能电池的转换效率也就随之提高。如图2所示，在理
电池效率与聚光比的关系
不过，在实际操作中，聚光存在许多限制，如光学损耗至少在15-20%、额外的电阻损耗、温度上升、入射接收角较小、成本高昂等。此外，聚光电池技术与双面技术也不兼容。因此，基于单结
，必须评估其与双面技术的兼容性。
聚光电池
首先，我们来看一下聚光电池技术。通过汇聚太阳光，会产生更多的载流子，同时其复合保持不变，这样开路电压就会升高，太阳能电池的转换效率也就随之提高。如图2所示
：不同串联电阻下的电池效率与聚光比的关系
不过，在实际操作中，聚光存在许多限制，如光学损耗至少在15-20%、额外的电阻损耗、温度上升、入射接收角较小、成本高昂等。此外，聚光电池技术与双面技术也不兼容
%。
资料显示，上饶光伏技术领跑者2号基地由晶科能源与晶科电力两家兄弟公司组成的联合体中标，将采用单晶P型PERC接触钝化、SPE、半片、微聚光组件，电池片转换效率23%，组件转换效率20.5
效率提升到21.8%和20.3%，较2017年提升0.5和0.3个百分点。同时，N型、异质结、半片、叠瓦、MBB、双面等电池组件技术和1500V系统技术开始规模化应用。
而在技术
