缺陷率

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应用材料推出全新硅晶圆检测设备来源: 发布时间:2008-03-10 16:47:59

缺陷自动分类引擎能快速识别所关注的缺陷,更及时地掌握收益率情况。 Applied Materials副总裁Gilad Almogy说道:“这套系统能帮助尖端存储产品和沉浸式光刻设备制造商实现在保证精度的情况下更快地获取有效数据。”

IMEC声称GaAs太阳能电池取得重大突破来源:Solarbe.com 发布时间:2008-03-05 17:07:32

比利时研究机构IMEC声称,利用锗基板上面的GaAs太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破。 IMEC表示,利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池,转化率达到了24.7%的最高纪录
确认。GaAs太阳能电池用于卫星太阳能板之中,以及地面上的太阳能聚光器。 IMEC利用一种得到改善的微缺陷分布,在锗基板上面外延生长出上述电池。该电池的功率为0.25cmw,利用999 mV的开路

2008年太阳能多晶硅硅料需求仍将达到4.1万吨来源: 发布时间:2008-03-05 11:19:59

增长率35%计算,2007年全球共需太阳能多晶硅3.375万吨,2008年则需4.55万吨。充分考虑技术进步导致的硅料用料减少,2008年太阳能多晶硅硅料需求仍将达到4.1万吨。巨大的太阳能多晶硅
预测。 1.暴利的太阳能多晶硅 随着太阳能多晶硅价格的节节盘升,国内太阳能光伏制造业呈现一半是海水一半是火焰的奇特格局,一方面是国内太阳能光伏产业下游开工率不足50%,一方面是众多

硅片行业术语查询中英对照来源:Solarbe.com 发布时间:2007-12-21 14:24:30

一定,NH4OH浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。⑥ 随着清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值。⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制来源:半导体国际 发布时间:2007-12-21 14:08:13

:“由于光刻波长变短,每个光子携带的能量更大,所以发生光化学反应的几率大为增加。”   雾状缺陷对成品率的影响方式主要有两种。通常,雾状缺陷会生长到足够大小而成为一个点缺陷,然后被光刻印制到晶圆上。另一种

太阳能产品知识来源:solarbe.com 发布时间:2007-07-02 23:23:46

(大于93%),低发射率(小于6%)的优点,所以在很大程度上增强了太阳热水器的集热效率。太阳热水器的支架采用优质430不锈钢板材加工成型,外形美观,牢固可靠。但因材料为不锈钢板,且加工工序复杂,所以成本
不在保修范围)。  3、请持有效凭证到指定维修点接受保修。特殊情况请与厂方联系。  4、对出售的产品,出现下列缺陷或质量问题无偿退换:    a、真空管漏水,无破裂痕迹漏气或发白    b、水箱漏水

突破材料局限 威奈研发奈米晶薄膜太阳能光电板来源: 发布时间:2007-06-26 08:34:59

用于LED产业、精密工业、IC封装及LCD光电产业等。威奈科技副总经理戴学斌表示,为了解决IC封装模具的沾黏问题,电镀是最常使用的方法,虽然解决了沾黏问题,但过程中需添加脱模剂,易导致封胶在成形时产生缺陷
,进而影响产品的良率。“现代人对产品的要求很严格,在封装上更要讲究!”就是因为嗅到市场上的需求,威奈开始研发具有抗沾黏防护的奈米薄膜。

独立光伏电站怎样进行维护管理(2)来源: 发布时间:2007-06-20 01:58:13

。完善维护管理的项目内容 不断总结维护管理经验,制定详细的巡检维护项目内容,保证巡检维护时不会出现漏项检查的现象,维护工作水平不断提高。 1.光伏阵列 设计寿命能达到20年以上,其故障率较低
,及时发现缺陷,进行必要的维护。巡视维护工作内容主要包括:架空线路下面有无盖房和堆放易燃物;架空线路附近有无打井、挖坑取土和雨水冲刷等威胁安全运行的情况;导线与建筑物等的距离是否符合要求;导线是否有损伤、断股

多晶硅薄膜的制备方法 (2)来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-20 01:49:03

有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅,温度较低,在300℃左右即可获得多晶硅,但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小,一般不超过50nm,晶内缺陷多,晶界多。 金属横向诱导法
的增长速率会降低。我们采用MILC和光脉冲辐射相结合的方法,实现了a-Si薄膜在低温环境下快速横向晶化,得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。 结束语 除了上述几种制备多晶硅薄膜的主要方法

多晶硅薄膜的制备方法 (1)来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-20 01:48:28

下降。激光波长对晶化效果影响也很大,波长越长,激光能量注入Si膜越深,晶化效果越好。 ELA法制备的多晶硅薄膜晶粒大、空间选择性好,掺杂效率高、晶内缺陷少、电学特性好、迁移率高达
多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此,对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注,多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类:一类是高温工艺,制备过程中