缺陷率

会议指出，CZ法只生长电阻率25欧姆一厘米以下的晶体。最近，电阻率高达70欧姆一厘米的单晶，也可用CZ法生长。 MCZ工艺的出现，为制备高阻硅单晶闯出一条新路，其电阻率可达400欧姆一厘米。用光电导衰减

条纹; 4.减少了由氧引起的各种缺陷; 5.由于含氧量可控，晶体的屈服强度可控制在某一范月内，.从而减小了片子的翘曲; 6.尤其是硼等杂质沽污少，可使直拉硅单晶的电阻率得到大幅度的
提高； 7.氧分布均匀，满足了LSI和VLSI的要求。 A.C.Bonora采用MCZ设备，从10公斤的装料中，成功地生长了无缺陷的100毫米直径的晶体。图5把得自常规CZ法和磁场

、T、Zr等指标，而且GE的指标相对要求也高一些。外观包括触痕、裂纹、划伤、凹坑、表面附着物和沾污、斑点和失透点、气泡、波纹等，每一种缺陷都给出了定义和控制限度。由于引进了国外先进的工艺技术，在缺陷
国产石英坩埚由于人力成本低，管理费用低，价格较进口坩埚低30％左右，这在太阳能级单晶生产上有一定的优势，但在生产集成电路级单晶的石英坩埚中，国产坩埚的占有率还很低，估计在20％以下。国产坩埚首先要

% 拉制参考损耗 0.7% 0.8% 合计损耗 13.06% 10.63% 此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会

分析，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池
度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。 因此减少缺陷密度，可使扩散长度增加，能在CdS层内收集到

Dow-Redfiled效应引起的。 2.3 CulnSe2材料的电学性质 CulnSe2材料的电学性质（电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率）主要取决于材料的元素组份比，以及由于偏离化学计量比而引起的固有缺陷

的大产业，非晶材料的这第一次挑战十分成功，还启动了对非晶材料的科学技术研究。1957年斯皮尔成功地测量了a一Se材料的漂移迁移率；1958年美国的安德松第一次在论文中提出，无定形体系中存在电子局域化
带，或者称为带隙。导带底和价带顶有单一的能量值，在导带底以上的导带态为扩展态，这些态上的电子是迁移率很高的自由电子。价带顶以下的能态为空穴的扩展态，这里的自由空穴迁移率也很高。理想半导体禁带中是没有

，再热生长10nm表面钝化氧化层，并使背面Al和硅形成合金，正面氧化层可大大降低表面复合速度，背面Al合金可吸除体内杂质和缺陷，因此开路电压得到提高。早期PESC电池采用浅结，然而后来的研究证明，浅结
情况下入射光可以在衬底材料内往返穿过4n2次，n为硅的折射率。PER1。电池的背面，由铝在SiO2上形成一个很好反射面，入射光在背表面上反射回正表面，由于正表面的倒金字塔结构，这些反射光的一大部分又被