结晶硅

Solutions, EES)部门，不再对新客户出售SunFab薄膜太阳能面板制造设备整合产品线，而将焦点放在结晶硅(Crystalline Silicon；c-Si)太阳能电池与发光二极管(LED)设备事业
。 　应用材料公司表示，该公司未来仍将单独销售CVD、PVD等薄膜太阳能面板制造设备，但仍将为SunFab客户提供服务、升级以及产能扩充的支持。此外，该公司在中国西安的太阳能研发中心将专注于提升结晶硅

Solutions, EES)部门，不再对新客户出售「SunFab」薄膜太阳能面板制造设备整合产品线，而将焦点放在结晶硅(Crystalline Silicon；c-Si)太阳能电池与发光二极管(LED)设备
专注于提升结晶硅太阳能等技术的开发。此外，全球受到影响的400-500名员工将转至其他部门。 应用材料董事长兼执行长Mike Splinter指出，薄膜太阳能电池市场受到几个负面因素的冲击

　　比利时研究机构IMEC于2010年7月13日宣布，通过采用外延生长制作的20μm厚结晶硅太阳能电池，实现了16.3％的单元转换效率。单元面积比较大，为70cm2。IMEC介绍说该单元目前正在美国
（IIAP）这一开发项目中，开发两种新一代结晶硅太阳能电池（参阅本站报道）。一种是从铸锭上切割结晶硅晶圆后使用的整体型。另一种是通过外延生长在底板上形成结晶硅的型号。后者的特点是：虽然也在底板上采用了多晶硅

和负责研发的副总经理王艾华的带领下，该公司的研发小组经过3年的研究和试制，于2007年11月向市场成功推出了SE太阳能电池。这是一款在现有工艺和p型晶圆基础上提高了性能的单结晶硅太阳能电池。这种电池受
概要 　　天合光能位于江苏省常州市，1997年12月作为系统工程公司开始运营。目前作为一家垂直统合型太阳能电池厂商，涉足单结晶硅及多结晶硅电池单元到模块的制造业务。2006年12月在纽约股市

。这些成果均采用非晶硅薄膜与微结晶硅薄膜重叠的串联构造。 　　美国应用材料在PVJapan开幕前一天举行了记者招待会，作为薄膜硅太阳能电池方面的最新成果，宣布0.1m×0.1m模块的转换效率达到
模块的转换效率尽快达到10％，并力争在2012年使该模块尺寸下的转换效率达到11～12％。 　　美国应用材料估计2010年底太阳能电池的导入成本为3美元/W。届时，与CdTe太阳能电池及结晶硅

采用非晶硅薄膜与微结晶硅薄膜重叠的串联构造。美国应用材料在PVJapan开幕前一天举行了记者招待会，作为薄膜硅太阳能电池方面的最新成果，宣布0.1m0.1m模块的转换效率达到了10.1
2012年使该模块尺寸下的转换效率达到11～12％。美国应用材料估计2010年底太阳能电池的导入成本为3美元/W。届时，与CdTe太阳能电池及结晶硅太阳能电池相比，该公司转换效率达到10％的大尺寸薄膜硅

结晶硅型和薄膜硅型推出了多种制造设备。在结晶硅型方面，晶圆切片（硅晶圆切割）设备及（布线形成等）丝网印刷设备的市场份额在不断扩大。而薄膜硅型方面，则推出了制造生产线“SunFab”。 ——在LED
Technology Center”，加强了在华的太阳能电池业务。中国太阳能电池市场的前景如何？ 　　Pinto：在结晶硅型方面，中国2010年的太阳能电池单元产能估计将占到全球的50％以上

，不仅能够提高器件的能量密度，使特性更为出色，而且还可提高量产效率，降低制造成本。 　　在这四大领域中，既有已得到充分发展的业务，也有刚开始着手研发不久的业务。其中，在太阳能电池领域已同时面向结晶硅型
和薄膜硅型推出了多种制造设备。在结晶硅型方面，晶圆切片（硅晶圆切割）设备及（布线形成等）丝网印刷设备的市场份额在不断扩大。而薄膜硅型方面，则推出了制造生产线“SunFab”。 ――在LED、智能玻璃及

出了转换效率超过20％的结晶硅型太阳能电池。目前，该电池的转换效率已达到25％。 　　格林教授此次演讲的题目是，“第3代太阳能电池”的候补技术是什么？格林表示，结晶硅型属于第1代太阳能电池，非晶硅
/m2）。斜线表示每W的成本（的倒数）。红色部分为格林介绍的“第3代太阳能电池”。额定功率的制造成本需要降至0.5美元/W以下。绿色部分所指的第1代太阳能电池为结晶硅型。黄色部分所指的第2代为非晶硅型

线，并不断对其加以改进，实现了低成本。这一点不同于从外部购入制造装置使用的其他厂商。 ——太阳能电池转换效率达到了多少？ 吴：串联结构的模块已达到6.0～6.5％。虽然乍一听要比结晶硅型