组件功率衰减
，同样也适用于衡量光伏扶贫电站，能获得更低LCOE的领跑者技术就是更适合扶贫项目的技术。在这方面，晋能科技也一直为各光伏扶贫项目供应符合领跑者标准的组件，以更低的衰减、更高的转换效率、更高的组件功率保障
多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：
晶硅组件：
单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高
。
薄膜组件：
单块组件功率相对略低。但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。应用环境广泛，美观，环保。
3制造工艺
多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量
%)
更高的双面率(理论双面率可做到98%)
更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大)
更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象)
更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%，常规晶硅电池为
之际P-perc组件功率有望达到330W，而HIT组件的功率有望达到360W，仅比较正面功率的情况下，HIT组件单瓦封装成本比Perc组件低220÷330-220÷360=0.056，这就意味着未来
%)
更高的双面率(理论双面率可做到98%)
更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大)
更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象)
更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%，常规晶硅电池为
P-perc组件功率有望达到330W，而HIT组件的功率有望达到360W，仅比较正面功率的情况下，HIT组件单瓦封装成本比Perc组件低220330-220360=0.056，这就意味着未来HIT组件在单瓦
一个问题，它们的优缺点具体如下： 晶硅组件：单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。 薄膜组件：单块组件功率相对略低。但
正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：
晶硅组件：单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。
薄膜组件：单块
组件功率相对略低。但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。应用环境广泛，美观，环保。
第三：制造工艺
多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少
一、绪论 在光伏行业发展形势一片大好的情况下，光伏行业也出现了一些问题，其中光伏组件功率衰减幅度较大的问题，对电站运营者及组件厂商影响都比较大。本文试图从多个方面分析组件功率衰减的原因，尽量在生
导致电池片的填充因子、开路电压、短路电流降低，电池组件功率衰减。
2005年Sun power公司就发现晶硅N型电池在组件中施加正高压后存在PID现象。2008年，Ever green公司报道了P
1.1PID效应的发现和成因
PID效应(Potential Induced Degradation)全称为电势诱导衰减。PID直接危害就是大量电荷聚集在电池片表面，使电池表面钝化效果恶化，从而
狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。当热斑效应严重时，旁路二极管可能会被击穿，令组件烧毁。
二、PID效应
电位诱发衰减效应是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷
强制风冷的散热方式。而针对50KW以上大型的组串型逆变器，如选择风冷会产生较大噪音且产生较多功耗，所以在控制技术较先进的情况下建议采用自然冷却方式。
超配能力：光伏系统由于组件功率的衰减、灰尘遮挡
不一致等问题时，而且随着电站寿命越长(组件出现衰减)MPPT发电量高的优势会越明显。而逆变器输入路数往往决定了一个光伏电站是否更加容易进行配板设计，更加节省线缆等辅助材料。
最后，考察逆变器发电能力
