。多晶硅酸制绒后反射率在25%左右,反射光损失仍然很大。为了进一步降低多晶硅片表面的反射率,人们尝试和研究了很多种制绒方法。在硅片表面制备纳米结构,有效降低了反射率,硅片看上去是黑色的,被称作黑硅
SiNx后,反射率都明显降低了。例如,条件C3的反射率从12.22%降低到3.87%。在波长范围600nm-1100nm区域内的反射率几乎都在2%左右。因此,我们可以利用黑硅表面的纳米结构和SiNx层的
封装、生物电子和医疗设备、微机电系统、纳米电子学和光子学等。
关于新加坡科技研究局材料研究与工程研究院(IMRE)
材料研究与工程研究院(IMRE)是隶属于新加坡科技研究局的研究机构之一,主要
新材料、光伏、印制电子、催化剂、生物模拟学、微流体、量子点、异质结构、可持续材料和原子技术等领域。我们还积极与国内外研究机构、高等院校、公共机构以及各类企业合作,共同推进项目研究。
关于新加坡科技研究
超过0.5英寸的钙钛矿单晶。相关成果在线发表于《先进材料》期刊上。近年来的研究发现,具有钙钛矿晶体结构的甲氨基卤化铅材料CH3NH3PbX3 (X=Cl, Br, I),在光伏材料、激光材料和发光材料
辨X射线衍射、光学测试,发现CH3NH3PbX3(X=Cl, Br, I)钙钛矿晶体材料具有很高的结晶质量和更好的光吸收范围(相较于薄膜样品),并首次发现它在402纳米处的发光峰。此外,它比薄膜材料具有
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化,到正面氮化硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
Contact)技术。当电池两面均采用钝化接触时,还可能实现无需扩散PN结的选择性接触(Selective Contact)电池结构。本文将详细介绍钝化接触技术的背景,特点及研究现状,并讨论如何
近日,中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所和华北电力大学合作,在太阳能电池用纳米材料研究中获得新进展,获得了宏量合成结构和形貌可控的分级结构亚微米球方法。应用这种新型分级结构亚微米球制备的
结构的改善与优化。针对目前国内光伏+农业发展进行分析:光伏+水面模式存在水域面积减少、干涸,特别对浮筒式水面光伏,将存在因客观原因迫使其运行期提前结束的可能。光伏+地面模式中采用加高支架、利用空余土地
生长发育有作用的辐射波长范围较光合有效辐射波长范围为宽,大致在300~800纳米范围内,为生理辐射。因光伏组件的覆盖后,温室内从南向至北向的光合有效辐射系数将逐渐减小,针对上述系数的确认,目前可通过软件进行
,成为国际上尤为重要的研究热点材料之一。此类钙钛矿的纳米结构材料(如纳米线和纳米片),在保留优越光物理性质的同时,其微纳尺寸也使得该类材料在微型光电/光学器件等领域具有广泛的应用前景
载流子荧光寿命的检测中推算,但电荷迁移率(或者迁移系数)的测定往往需要在钙钛矿样品上负载电极材料。然而由于受到样品尺寸的限制,在钙钛矿纳米结构材料(如纳米线、纳米片等,几百纳米到数微米尺寸)上负载电极
通常意味着纳米尺度天线和金属-绝缘体-金属二极管相耦合,Cola解释道,你的天线越接近二极管,效率就越高。因此理想的结构将天线作为二极管中的金属极之一这就是我们所制造的结构。 Cola的小组所制造的该
,同时在硅表面构成微电化学反应通道,在金属粒子下方快速刻蚀硅基底形成纳米结构。
图2 金属催化化学腐蚀原理图
以上两种产业化黑硅技术比较如下。
与常规的多晶电池相比,湿法黑硅
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湿法黑硅技术产业化最关键的技术难点在于:一、通过纳米微结构的优化以及后道工序匹配,解决减反效果与其带来的表面钝化问题之间的矛盾;二、开发适合产业化的稳定工艺流程以及成本控制,提高净收益。如何设计
反应通道,在金属粒子下方快速刻蚀硅基底形成纳米结构。 图2 金属催化化学腐蚀原理图以上两种产业化黑硅技术比较如下。与常规的多晶电池相比,湿法黑硅电池不同之处在制绒这一工序,由于同样采用湿法化学腐蚀工艺
、阿特斯湿法黑硅电池技术进展阿特斯早在2009年开始黑硅技术调研,并选用湿法黑硅技术作为黑硅技术的首选,一直致力于产业化湿法黑硅技术的开发。湿法黑硅技术产业化最关键的技术难点在于:一、通过纳米微结构的优化