等离子体

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与光伏电池性能要求相匹配的三种TCO玻璃来源: 发布时间:2011-08-15 11:14:47

性能要求的提高,TCO玻璃必须具备提高光散射的能力,而ITO镀膜很难做到这一点,并且激光刻蚀性能也较差。铟为稀有元素,在自然界中贮存量少,价格较高。ITO应用于太阳能电池时在等离子体中不够稳定,因此目前
方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛,它的突出优势是原料易得,制造成本低廉,无毒,易于实现掺杂,且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的光伏TCO产品。目前主要存在的问题是工业化大面积

晶体硅太阳电池减反射膜的研究来源: 发布时间:2011-08-10 15:18:25

磷硅玻璃等工艺。实验用到的气体有SiH4,NH3,N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜,为安全起见,SiH4由氮气稀释至10%,NH3浓度为

SINGULUS引进ICP-PECVD技术改进Silex系统来源: 发布时间:2011-08-10 09:55:25

索比光伏网讯:日前,SINGULUS技术公司宣布研制了一种新的电感耦合等离子体(ICP-PECVD)覆膜设备,该设备用于晶体硅太阳能光伏组件的生产,将在第26届德国汉堡的EU—PVSEC上展出

光伏制造技术:SINGULUS引进新设备改进Silex系统来源:Solarbe.com 发布时间:2011-08-09 13:39:08

/索比太阳能光伏网 记者 明今编译) 2011年8月4日,SINGULUS技术公司宣布研制了一种新的电感耦合等离子体(ICP-PECVD)覆膜设备,该设备用于晶体硅太阳能光伏组件的生产,将在第26届

国内多晶硅工艺现状与未来发展趋势分析来源: 发布时间:2011-07-14 11:48:59

部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中往除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分,经粗粉碎与清洗后,在电子束融解炉中往除磷和碳杂质

多晶硅生产工艺现状与未来趋势来源:Solarbe.com 发布时间:2011-07-14 10:16:55

形成800吨/年的生产能力,全量供给SHARP公司。   主要工艺是:选择纯度较好的产业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭,往除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体

航天机电太阳能项目通过验收来源: 发布时间:2011-06-28 10:13:59

日前,由中国航天科技集团公司八院航天机电太阳能公司承担的技术推广项目连续式等离子体太阳电池减反射膜制备系统开发,顺利通过了国家国防科工局和中国航天科技集团公司验收。该项目完成了PECVD系统集成的

太阳神秘波浪秒速度达2000公里来源: 发布时间:2011-06-20 09:16:53

实验室(LMSAL)。他的研究主要提供了在太阳低大气高度上,磁声波高速传播的直接证据。我们知道,高温等离子体会产生“涟漪效应”,这种涟漪效应就像在加热肉汁时表面出现泡沫爆裂的情形。虽然目前通过计算机模拟

孟凡英——薄膜太阳能电池需突破工艺材料瓶颈来源: 发布时间:2011-06-15 13:27:10

13%以上的市场份额。各种薄膜电池都有一些瓶颈问题尚未解决。目前硅基薄膜太阳能电池,无论单结、双结还是三结电池,制造工艺都是采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法,真空腔的清洗基本是氟化物
的有天威薄膜、新奥、普乐新能源、南通强生、常州畅源、泉州金太阳、深圳拓日、天津津能、浙江正泰、合肥荣事达等。硅基薄膜电池的制备工艺主要是化学气相沉积技术,分为射频等离子体增强的化学气相沉积、甚高频

全球薄膜太阳能电池产业现状分析来源: 发布时间:2011-06-15 11:20:59

。各种薄膜电池都有一些瓶颈问题尚未解决。目前硅基薄膜太阳能电池,无论单结、双结还是三结电池,制造工艺都是采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法,真空腔的清洗基本是氟化物(SF6或NF3),排出
是化学气相沉积技术,分为射频等离子体增强的化学气相沉积、甚高频等离子体增强的化学气相沉积、热丝化学气相沉积、热丝催化等离子体化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积、脉冲等离子体化学气相沉积等多种