等离子体

PVSEC）期间，推出新型等离子体化学气相沉积（PECVD）垂直镀膜设备VCS 1200，该设备能对晶体硅太阳能电池进行正面与背面的双面镀膜。在等离子体增强化学气相沉积过程中对电池进行钝化对于硅基

NAND的转型。该系统性能的关键在于独一无二的精密腔体设计，并能够调整温度、等离子体、气流等关键参数。通过提供灵活的工程技术，应用材料公司能帮助客户实现卓越的应力控制和硅片内、硅片间和层结构间的均匀性

，公司所采用的等离子体化学改性技术技术可使PET基膜和氟膜间产生化学分子间键合，结合力更加紧密持久，不分层不脱层。同时采用等离子体氟硅氧烷表面接枝技术处理背板的EVA粘接面，使背板与EVA保持适当的牢度

索比光伏网讯:据深圳市科技创新委员会2013年7月11日公布的2012年度深圳市科学技术奖拟奖公示名单，拟授予捷佳伟创PD-380系列管式等离子体增强化学气相淀积设（PECVD）项目技术开发类

钝化和局部铝背场）工艺技术。PERC工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，在硅片背面形成氧化铝膜层，然后再在该膜基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用

(纳斯达克代码：GTAT)今天宣布已经向Kyma Technologies, Inc.收购其等离子体汽相淀积(PVD)技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的等离子体汽相淀积柱状纳米技术(PVDNC
(TM))可以在氮化镓沉淀前，在晶圆上沉积一层高质量的生长型初始层氮化铝。GT 计划将等离子体汽相淀积工具商业化，以配合其正在研发的氢化物气相外延(HVPE)系统，这个组合将可以让LED生产商在图案化

（Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy,射频等离子体辅助分子束外延）法使GaN结晶生长。据Graphenea公司介绍，该RF-MBE法是立命馆大学提供的技术，对具备高结晶性的GaN结晶

索比光伏网讯:2013年10月12日，中科院前沿局组织专家在中科院嘉兴对微电子所承担的院知识创新工程重要方向项目等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技术研究进行了现场验收。专家组由来自上海交通大学
采用等离子体浸没离子注入方法制备黑硅，制备的多晶硅片反射率低至1%（在可见光波段内），表面微观结构和反射率可控。通过系统研究，研制的多晶黑硅电池转换效率最高达18.3%。小批量试产表明工艺稳定。 专家组

挥发性有机物(VOCs)源头控制方法，研发推广吸附浓缩、低温等离子体净化、生物法脱臭、光氧化和光催化等末端治理及组合治理技术，推进吸附材料再生平台示范建设。促进发动机、汽轮机等机内净化、尾气治理、蒸发