等离子体
，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。 辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷，用射频电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜
背板内层并固定在基材表面。反应性氟材料在涂覆型背板中用得比较多，尤其是在等离子体增强的涂层技术中，通过固化剂将反应性氟材料牢牢地固定在背板的内层。 非反应性氟材料是指整个大分子中不含有任何可
索比光伏网讯:PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子
KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让
。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导
问题；等离子体掺杂具有掺杂浓度和掺杂类型易控等优点，但离子注入对单层TMDs的掺杂仍然是一个挑战，需要进一步地探索与研究。最后，曾祥斌教授总结道，二维材料作为电极材料尤其是透明电极材料，可以在薄膜电池中得到
效率。 参考文献 王晓泉,汪雷,席珍强,等.PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究.太阳能学报,2004年03期. 毛赣如,原小杰.等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜.太阳能学报,1988(3):286-290.
双面氧化铝钝化等)、等离子体增强化学气相沉积PECVD(包括远程等离子PECVD、直接等离子PECVD等)及其他非氧化铝钝化体系，引领PERC技术多元化发展、加速光伏行业平价上网进程。
作为
，包括原子层沉积ALD(包括空间区隔式ALD、基于加工时间式 ALD即双面氧化铝钝化等)、等离子体增强化学气相沉积PECVD(包括远程等离子PECVD、直接等离子PECVD等)及其他非氧化铝钝化体系
室的高温与高功率等离子体轰击，几百个参数调节，设备也针对国产不绣钢卷的材质做了改造，要保证出来的50万片芯片都是良品;这种大型测试就进行了接近20次，材料费就花了几千万元。30多个人连班倒了8个月
卷进入镀膜设备，经过10个腔室的高温与高功率等离子体轰击，几百个参数调节，设备也针对国产不绣钢卷的材质做了改造，要保证出来的50万片芯片都是良品;这种大型测试就进行了接近20次，材料费就花了几千
