和一次又一次行业的洗礼。每一个事后看来可以称上英明的决策,只不过是我们在认知范围内做出的常识性选择。1990年,我从兰州大学物理系毕业,并被分配到陕西华县的华山半导体材料厂,从事单晶硅材料的生产工作
。2000年之后,行业逐步推广了多线切割这种形式,但效率仍然十分低下。切一刀大概要耗费9到10个小时,切割1吨硅棒大概要消耗300公斤的钢线、300公斤的碳化硅粉和300公斤的聚乙二醇,这就造成了巨大的
(UHMWPE)、聚苯硫醚纤维(PPS)、聚酰亚胺纤维(PI)、聚四氟乙烯纤维(PTFE)、聚苯并双噁唑纤维(PBO)、聚芳噁二唑纤维(POD)、玄武岩纤维(BF)、碳化硅纤维(SiCF)、聚醚醚酮纤维
交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域)126.精密高性能陶瓷原料生产:碳化硅(SiC)超细粉体(纯度>99%,平均粒径<1μm)、氮化硅(Si3N4)超细粉体(纯度>99%,平均粒径<1μm
以及半导体材料细分领域的蓝宝石材料和碳化硅材料等。其中在光伏设备领域,已成为国内技术、规模双领先的光伏设备供应商,建立覆盖全自动单晶炉、滚圆磨面一体机、截断机、切片机、叠瓦自动化生产线等较为齐全的产品
4倍营收,未来业绩有望继续保持高速增长。光伏设备龙头的成长资料显示,晶盛机电成立于2006年,是国内领先的半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造的高新技术企业。2012年上市之初主要产品是全自动
氢燃料电池技术关键电催化材料的规模生产和应用;推进电解液、碳毡等液流电池关键材料的规模生产和应用。3.半导体材料。支持优势企业开展氦气、三氟化氮、三氟化氯等高纯气体研发及产业化,6英寸/8英寸碳化硅
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块,进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
片碳化硅6寸晶圆,极大程度上缓解行业的产能焦虑,助力低碳智能出行。在新能源汽车产业变革浪潮中,碳化硅作为新一代功率半导体材料技术孕育着新的机遇。湖南三安将牢牢把握发展机遇,与行业伙伴共享、共赢、共创新能源汽车电驱动技术新辉煌。
近日,台州黄岩区举行招商引资项目集中签约仪式。此次集中签约的21个项目,总投资达700余亿元,签约项目包括中弘晶能年产3GW光伏电池片及组件成品和半导体(碳化硅)项目、中国未来能源新能源及芯片原材料
进出口项目、智能计算中心项目等。其中,中弘晶能年产3GW光伏电池及组件成品和半导体(碳化硅)项目总投资约50亿元,总用地面积约500亩,分两期建设。一期投资20亿元,用地面积约300亩,主要建设工业
,因此多电平技术可以减少损耗。软开关技术,应用谐振原理,软开关通过检测功率器件的电流,当功率器件两端的电压或流过功率器件的电流为零时才导通或者关断,这样开关管开关损耗降到最低;利用碳化硅材料的IGBT
数据上看,发电量最高的月份并不是辐照度最高的7-8月,而是5月或者10月份。光伏组件是半导体材料,内部有电阻,会消耗一部分电能,和铜铝电缆材料一样,光伏组件的内阻也是随着温度的升高而增加,夏天红外线强
人民币13.60亿元(含本数),用于单晶炉扩产项目、光伏电池片和光伏组件设备项目、第三代半导体材料碳化硅衬底加工装备生产项目、电子级银粉扩产项目以及补充流动资金。公司表示,本次募投项目将进一步推动公司拓宽产业版图
单晶炉扩产项目、光伏电池片和光伏组件设备项目、第三代半导体材料碳化硅衬底加工装备生产项目、电子级银粉扩产项目及补充流动资金。连城数控对本次募集资金投资项目的必要性、合理性进行了说明。其中,针对单晶炉扩产
发展方向是速度更快,功能更强,效率更高。功率器件材料发展较快,正在由传统硅基功率器件向宽禁带材料(SiC、GaN)功率器件发展,碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。可以这样比喻,硅基材料好比
多晶硅电池片,碳化硅材料好比单晶硅电池片,IGBT好比组件。使用碳化硅的功率器件,具有耐高温、耐高压、开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。
在光伏逆变器中,如果采用