碲化镉(CdTe)

量产的版本多在10%~12% 而已，若是使用非/微晶矽电更是只有为6％～8%，而CdTe（碲化镉）的转换效率略高，约为8.5%～ 10.5%，最高的则是CIGS（ 硒化铜铟镓；Copper

%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于
单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和 20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池

单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉
(CdTe)及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶》 (GB/T12963)2级品以上要求

%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%，25 年内不高于20

硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶
别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效 率分别不低于 12%、12%、13%、12%。4 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率

多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其
效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13

;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内

，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。此外，《条件》还对项目资源