碲化镉薄膜电池
扶持薄膜太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4
碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议
太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种
碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议：
一
持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面
家能规模生产碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议
技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4%）。而且这两种薄膜电池
意指太阳能的相关设备，不过在工作项目中，目前指出了「solar industries」的相关字句，因此几乎可确定这应就是一般所指的太阳能薄膜电池了。
因此苹果在资料中心伺服器与办公室
量产的版本多在10%~12% 而已，若是使用非/微晶矽电更是只有为6％～8%，而CdTe（碲化镉）的转换效率略高，约为8.5%～ 10.5%，最高的则是CIGS（ 硒化铜铟镓；Copper
18.6%（4cm2），InGaP/GaAs双结电池30.28%（AM1），非晶硅电池14.5%（初始）、12.8（稳定），碲化镉电池15.8%，硅带电池14.6%，二氧化钛有机纳米电池10.96
%（10cm10cm），GaAs电池20.1%（lcmcm），GaAs/Ge电池19.5%（AM0），CulnSe电池9%（lcm1cm），多晶硅薄膜电池13.6%（lcm1cm，非活性硅衬底），非晶硅电池8.6
%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%；
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于
能不低于 5000 万片；
5.晶硅电池年产能不低于 200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。
（四）现有光伏制造企业及
能不低于 5000 万片; 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求
单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%;
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%;
5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉
%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
硅片年产能不低于5000 万片；5.晶硅电池年产能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求
能不低于 200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品
的要求；
2.
硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄
膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶
