碲化镉薄膜电池

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光伏制造行业规范条件(深入解读)来源: 发布时间:2013-09-04 10:16:59

;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;2.
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其

工信部《光伏制造行业规范条件》延伸阅读来源: 发布时间:2013-09-04 09:44:37

能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的
;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe

光伏制造行业规范条件(延伸阅读)来源:中国能源报 发布时间:2013-09-03 23:59:59

能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的
;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe

光伏制造业门槛划定 业内认为标准姗姗来迟来源:中国能源报 发布时间:2013-09-03 23:59:59

的光电转换效率分别不低于16%和17%;多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
能不低于1000吨;硅棒年产能不低于1000吨;硅片年产能不低于5000万片;晶硅电池年产能不低于200MWp;晶硅电池组件年产能不低于200MWp;薄膜电池组件年产能不低于50MWp。多晶硅电池和单晶硅电池

First Solar——碲化镉薄膜太阳能电池产业的王者来源: 发布时间:2013-09-03 08:33:59

2012年,对于被破产、重组、亏损、裁员等一系列坏新闻缠绕的全球光伏企业而言,没有消息,就是好消息。然而,在一片萧条中,有一家企业却在其中表现抢眼,那就是全球最大的碲化镉薄膜电池组件制造商First
l 碲化镉薄膜电池:12.6%。 l 净销售收入:33.69亿美元,同比增长21.8

光伏原材料将划准入“硬杠杠”来源:中国化工报 发布时间:2013-08-30 10:50:36

,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
处于行业中高水平,新增了薄膜电池组件相关内容;企业研发投入设立最低限。 白洪强表示,《条件》表明国家不再一味地对光伏产业给予财政等政策支持,而是通过制定技术标准,提高行业准入门槛,通过优化产业结构

点评:工信部《光伏制造行业规范条件》来源:Solarzoom 发布时间:2013-08-29 08:42:36

多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10
能不低于200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。 点评:这些标准都是入门级的标准,在当前全球80GW的总产能,50GW有效

工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-08-28 13:22:21

%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
能不低于1000吨; 4.硅片年产能不低于5000万片; 5.晶硅电池年产能不低于200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp

工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿全文)来源: 发布时间:2013-08-28 09:31:59

和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池
晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;2.

光伏产业将进入薄膜时代:替代晶硅旧符来源: 发布时间:2013-08-21 11:36:59

我国光伏产业十二五规划提出了要重点发展非晶与微晶叠合的薄膜电池。一直以来,晶体硅和薄膜太阳能光伏电池是光伏市场的两大主要技术阵营,目前,薄膜电池在原有转化效率上突破性的进展以及相对低廉的成本在近年来
,特别是CIGS太阳能薄膜电池,已经接近主流市场晶硅的水平,高效薄膜电池比晶硅还具有节能性,产品特点是功率不衰减,应用范围广泛,特别是南部和热带地区非常明显,这些地区通常是经济发展比较快的地区。另外由于产品