硅薄膜
太阳能量，依目前在实验室研发的硅基太阳能电池来看(非硅空气电池)，单晶硅电池效率为25.0%，多晶硅电池效率为20.4%，CIGS薄膜电池效率达19.8%，CdTe薄膜电池效率达19.6%，非晶硅薄膜
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。
氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高
氮化硅薄膜的折射率为2.15左右,厚度为25nm,第三层氮化硅薄膜的折射率为2.0以内,厚度为50nm。
PECVD镀完膜厚,通过反射率测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片在波长300
低成本光伏发电关键技术研究目标：研制出新型高效低成本光伏电池，突破大型光伏电站设计集成和运行维护关键技术，掌握 GW 级光伏电站集群控制技术。研究内容：主要开展包括碲化镉、铜铟镓硒薄膜、硅薄膜等
可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化锌
由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动。相反对空穴而言，由于本征层很薄，空穴可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅。在背面同样沉积本征非晶硅薄膜和掺磷的n+非晶硅层，同样由于能带弯曲，阻挡了空穴向背面的移动
量产。首先其生产过程中的每一步工艺要求都非常严格，比如由于非晶硅薄膜生长对表面质量要求很高，所以对前道晶硅的表面清洁净化技术提出非常高的要求。其次，非晶硅薄膜无法承受较高温度的后续工艺，后道必须使用高成本低
时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
舅 与张忠卫这样一位儒雅的业内长者交流是件很愉快的事情，学识渊博，思维活跃，谈吐清晰。1985年开始从事光伏电池研究，大学专业是固体物理，本科毕业论文是非晶硅薄膜太阳电池研究，博士论文是铜铟镓硒
。 2)碲化镉 在太阳辐射量较高，少云或多云地区，碲化镉有优势。 3)多晶硅和铜铟镓硒 多晶硅和铜铟镓硒受太阳辐照影响较前三者大，不适合在太阳辐射变化大，四季分明的地区使用。 4)非晶硅薄膜
： 依据上述原理可根据组件钢化玻璃或镀膜玻璃与EVA的不同折射率，设计相应的氮化硅薄膜的折射率，达到组件的光学最佳匹配。 1.2电学损失 电池引起的电学损耗包括电池片串联时电流不匹配、焊条与
所需的占地面积将远远大于晶硅产品。事实上，钙钛矿目前运用端的可行性与晶硅薄膜产品十分相似，但其稳定性目前还不如晶硅薄膜产品，因此钙钛矿电池的实际应用情况目前还不能体现出很强的优势。 总结 人类在清洁能源
