硅薄膜太阳能
，另外一方面作为替代能源希望之星的太阳能光伏被进一步赋予期望，太阳能光伏的科研和商业化也开始以星星之火可以燎原的资源一步一步的发展起来。 1974年美国联邦议会更通过太阳能研究和示范法案以减轻美国对石油
本竞争力不足，核心因素在于两方面：
1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
的耗用有望降低约 20-30mg/片，靶材成本有望持续下降。
2) 设备方面降本。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应的制绒清洗
。此次规划的1GW异质结电池是目前全球异质结电池量产最大的一个项目，投产后也将是全球光伏行业大规模量产的转换效率最高的太阳能电池。
据悉，金堂基地1GW异质结项目将陆续完成工艺设备以及自动化设备的进场
任务，并进行定位、二次配等工作，各项介质也将陆续供应，确保项目在7月底顺利投产。
与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池
沉积，就可制备太阳能电池面板。基本上分为：非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池和碲化镉薄膜电池三种。 其中，非晶硅薄膜电池转换效率低，铜铟镓硒薄膜电池成本较高，所以First Solar选择了碲化镉薄膜
PERC电池为主，PERC电池市场占比达到86.4%。
1) Al-BSF电池技术。为改善太阳能电池效率，在P-N结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。铝背层主要进行表面
两年多家公司进入试生产线环节 并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。
HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
。同时由于 HJT 电池双面对称,正反面受光照后都能发电,可以做成双面发电组件。
(2)低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 p-n 结发射区,制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成
。2012 年，中国为应对美、欧双反调查、加大光伏应用补贴力度，发布《太阳能发电发展十二五规划》，并于2013年7月正式发布《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》，明确电价补贴标准和补贴年限。至此
单位国内生产总值二氧化碳排放将比 2005 年下降65%以上，非化石能源占一次能源消费比重将达到25%左右，森林蓄积量将比2005年增加60亿立方米，风电、太阳能发电总装机容量将达到 12 亿千
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。
HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
设备投资成本已经从2019年8-10亿元，降低至2020年的5亿元，2021年有望降低至4亿元左右。
TOPCon发展现状
TOPCon太阳能电池(隧穿氧化层钝化接触，Tunnel Oxide
数据来源：索比咨询整理
表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商
数据来源：索比咨询整理
表：部分TCO层沉积设备供应商
数据来源
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捷佳伟创
捷佳伟创是国内领先的晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备
大于24.5%，并累计获得了异质结客户10家，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。
HJT技术前瞻
与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极
百花齐放、融合共存的新业态。
异质结产业发展的制约因素
上海交大太阳能研究所所长沈文忠认为，技术成熟度，设备投资成本，重要辅材价格，市场接受程度是目前异质结电池发展的三大挑战。
异质结的下一代
