硅片半导体硅片材料

部分光伏辅料也进行垄断。另一方面，作为现代工业基础的半导体物理学、材料化学等基础科研与产业技术创新严重脱节，技术改造成为企业提高技术水平的主要途径，而具前瞻性和开创性的基础科学及方法论发展不足，政府及
15%，进入光伏制造行业规范公告名单的29家组件企业平均净利润率同比增长6.5个百分点。 2、产业规模继续稳定增长 上半年全国多晶硅产量7.4万吨，同比增长15.6%，进口量约6万吨；硅片产量45亿

这个来自祖国大西北的隐形冠军非同一般地低调，属于典型的闷声发大财。未来，它能一直保持单晶硅片行业全球领先地位吗？不显山不露水之间，偏居一隅的西安隆基硅材料股份有限公司长成国内光伏行业的一棵参天大树
，李振国毕业于兰州大学半导体材料专业。在创立西安隆基硅材料股份有限公司之前，他曾先后在西安骊晶电子技术有限公司，西安新盟电子科技有限公司等公司担任高级管理职务。2005年，发掘到太阳能潜力的李振国找到

基础的半导体物理学、材料化学等基础科研与产业技术创新严重脱节，技术改造成为企业提高技术水平的主要途径，而具前瞻性和开创性的基础科学及方法论发展不足，政府及企业均不愿对价值不可预见的长期研究项目大量技入
光伏制造行业规范公告名单的29家组件企业平均净利润率同比增长6.5个百分点。2、产业规模继续稳定增长上半年全国多晶硅产量7.4万吨，同比增长15.6%，进口量约6万吨；硅片产量45亿片，同比略有增长

上下游环节出现的企业产品供给与需求的失衡，导致整个产业链发展的不通畅，出现了有的环节产品过剩而有的环节供给不足并存的现象。上游多晶硅提纯环节的产品供给不足直接影响下游硅片生产环节的正常生产，由于多晶硅提纯
对技术和资金的要求非常高，所以上游原材料生产环节具有很强的技术壁垒和较高的资金要求。目前，多晶硅生产技术中运用比较多的是改良西门子法，利用这一方法的企业占到生产多晶硅企业总数的85%，所以这种方法己

供给与需求的失衡，导致整个产业链发展的不通畅，出现了有的环节产品过剩而有的环节供给不足并存的现象。上游多晶硅提纯环节的产品供给不足直接影响下游硅片生产环节的正常生产，由于多晶硅提纯对技术和资金的要求非常
高，所以上游原材料生产环节具有很强的技术壁垒和较高的资金要求。目前，多晶硅生产技术中运用比较多的是改良西门子法，利用这一方法的企业占到生产多晶硅企业总数的85%，所以这种方法己成为生产多晶硅的主流技术

、散射辐射、反射辐射等）能转化成为电能的发电形式。 　　 　　早在1839年，法国科学家贝克勒尔就发现光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为光生伏打效应，简称光伏效应。然而
结合到一起成为PN结。 　　 　　 　　 　　（光电效应示意图） 　　 　　半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的

/3的表面都被金属所覆盖，反射的损失仅为3%。该团队表示，这项技术同样能够用在其他半导体材料上，为光电传感器、LED、显示屏和透明电池灯技术开辟出更多的潜能。 原标题:“隐蔽式接触”大幅提升光伏效率
/转化效率打了折扣。不过现在，斯坦福大学的研究人员们已经找到了一种让它们给底层半导体进一步让道的方法，即采用隐蔽式接触技术。穿过金接触层的灰色硅纳米柱，该结构可在太阳能面板上实现不可见/隐蔽式的金属接触

原理和关键技术太阳能光伏发电利用了太阳能电池的光生伏打效应，是一种直接将太阳辐射（直接辐射、散射辐射、反射辐射等）能转化成为电能的发电形式。早在1839年，法国科学家贝克勒尔就发现光照能使半导体材料的
半导体，两者结合到一起成为PN结。　　（光电效应示意图）半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场Ei。它对两边多数载流子是

效率；二是降低生产成本。以硅片为基础的第一代光伏电池，其技术虽已经发展成熟，但成本一直高居不下。基于薄膜技术的第二代光伏电池中，很薄的光电材料被铺在非硅材料的衬底上，大大减少了半导体材料的消耗，且易于批量

接触部分非常薄，但还是占据了太阳能面板表面10%的位置。而斯坦福研究人员所做的，就是找到一种方法来压榨下层半导体与金属接触的空间，使得其对于入射光线来说近乎隐形。为了实现这点，研究人员们在硅片上放置了
金属所覆盖，反射的损失仅为3%。该团队表示，这项技术同样能够用在其他半导体材料上，为光电传感器、LED、显示屏和透明电池灯技术开辟出更多的潜能。