硅片切片设备

，2014年8月29日赛维创始人彭小峰辞去公司、附属公司的行政及董事职务。 可以说赛维的没落也是由彭晓峰决策失误直接导致的。赛维的主业是硅片，起初生产硅片的设备铸锭炉、切片机全部都是进口的，由此发家的彭晓峰

彭小峰辞去公司、附属公司的行政及董事职务。可以说赛维的没落也是由彭晓峰决策失误直接导致的。赛维的主业是硅片，起初生产硅片的设备铸锭炉、切片机全部都是进口的，由此发家的彭晓峰就过分痴迷进口设备。赛维投资

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。 单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以最大程度地发挥大切速、细线化、切薄片的技术优势，切割效率更高、硅损更低、出片率更高、硅片表面质量更优，从而

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶
金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以最大程度

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。 单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以最大程度地发挥大切速、细线化、切薄片的技术优势，切割效率更高、硅损更低、出片率更高、硅片

，但无法和多晶比。从铸锭与拉晶成本看，单晶VS多晶，多晶占有非常大的优势且单晶永远无法赶超；　　三、切片成本对比金刚线切片工艺可以切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服

。目前单晶的成本虽有所降低，但无法和多晶比。从铸锭与拉晶成本看，单晶VS多晶,多晶占有非常大的优势且单晶永远无法赶超;　　三、切片成本对比　　金刚线切片工艺可以切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了

电池厂家对该技术也进行过小批量评估，由于较高的工艺成本以及组件功率收益不理想，该技术最终没能推广成功。近两年，基于硅片厂家对金刚线切片技术导入的预期以及电池、组件技术的快速发展，RIE黑硅技术又逐渐
首次实现湿法黑硅技术产业化，在多晶技术领域走在了行业的前列。阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路。湿法黑硅技术还可以融合其他硅片及电池产业化技术，从根本上提升多晶电池的