直流耦合

多家光伏逆变器生产企业，但市场发展刚起步，具有广阔发展空间。 光伏逆变器是光伏系统核心功率调节器，占据系统成本比例在10%-15%之间，有较高的技术含量。出于对安全和业务问题的考虑，收获直流需要从带有
光伏转换器的交流电网中隔离出来。传统的隔离解决方案：如光电耦合器，高温会加速电池板退化从而无法道道25年的担保。 在此次PCIM-Asia2011研讨会上，ADI公司（美国）陈宝兴提交的论文《孤立

隔离。HFBR-3810Z的设计更为小巧。 光纤技术具有出色的抗电磁干扰及EMC特性。Avago HFBR-3810Z短链环收发器在高压开关和电机控制设备及系统常见的高噪声环境中运行可靠。直流耦合
抑制 - 24.96毫米引脚间距 标定650nm光纤技术 高速：直流电为10MBaud 带有 CMOS/TTL 输出的直流耦合接收器，便于设计 - 不要求数据编码或数字化电路 组装简洁：13毫米

——针对太阳能照明直流低压供电，其线损大、维护难的特殊性，采用功率变频器下置，高压DC耦合方式，线损降低92%，减少太阳能照明总成本6％以上，维护极为便捷，进一步降低了配值和维护成本。并结束太阳能灯无
太阳能专用无极灯系列产品，与普通无极灯相比节能非常显著，配套太阳能灯大幅度降低了成本。 —、雪崩谐振深度耦合——利用场效应管“雪崩现象”的特征，将电路设计在自选最佳雪崩谐振点，且选择在充分深度耦合的

林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七
i薄膜。开始采用的是电感耦合方式，后来演变为电容耦合方式，这就是后来的太阳电池用a一Si材料的主要制备方法。 1960年发生了非晶半导体在器件应用领域向晶体半导体的第二次挑战。这就是当年美国人欧

采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始
采用的是电感耦合方式，后来演变为电容耦合方式，这就是后来的太阳电池用a一Si材料的主要制备方法。 1960年发生了非晶半导体在器件应用领域向晶体半导体的第二次挑战。这就是当年美国人欧夫辛斯基发现硫