烧结
，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P＋扩散、金属电极下重扩散（丝印光阻）以及激光烧结等。IBC电池的工艺流程大致如下：清洗制绒扩散（n＋）丝印刻蚀光阻刻蚀P扩散区扩散（p＋
）减反射镀膜热氧化丝印电极烧结激光烧结（2）MWT电池如前所述，IBC电池是在电池背面的PN结收集载流子，除此之外，还有一类背接触电池是两面均可收集载流子，并可将电流由正面传导至背面。这类电池包括金属环
，尽量避免产生隐裂片的可能。比如装舟卸舟时轻拿轻放，保持印刷机台干净平整等等。微隐裂引起的点状烧穿主要是因为硅片本身晶体结构存在缺陷，在烧结过程中会破坏晶体结构，银浆顺着晶界渗透至基区，从而产生漏电。我们
漏电，EL图像显示表面有大面积污染，SEM图像显示可以看到密密麻麻的细点，这些细点即为银浆，在擦片的过程中银浆渗进电池片里；小颗粒银浆是团状银浆在烧结过程中形成玻璃态造成的大面积漏电。 造成擦片漏电的
规范生产现场操作，尽量避免产生隐裂片的可能。比如装舟卸舟时轻拿轻放，保持印刷机台干净平整等等。
微隐裂引起的点状烧穿主要是因为硅片本身晶体结构存在缺陷，在烧结过程中会破坏晶体结构，银浆顺着晶界渗透
还有部分浆料残留在硅片表面，IR图像显示有大面积漏电，EL图像显示表面有大面积污染， SEM图像显示可以看到密密麻麻的细点，这些细点即为银浆，在擦片的过程中银浆渗进电池片里;小颗粒银浆是团状银浆在烧结
。
浆料使用需按照少量多次的原则进行添加，若周边浆料变干，应及时铲出进行处理后再行使用。其次增加对烧结后的EL测试监控，建议每小时至少10片以上，如有异常立即停止生产进行异常批次隔离并排查解决
偏大或间断性出现Rs偏大，很可能是因为印刷效果不好造成栅线和硅片没有形成合金层，有空隙导致欧姆接触不好。
2）伴随开路电压和短路电流偏低的Rs偏大，可能为烧结原因造成，而伴随开路电压和短路电流偏高的
现象。同时在更换新网版时，在参数调整合适后，进行5片左右的外观检查，同时进行EL测试。浆料使用需按照少量多次的原则进行添加，若周边浆料变干，应及时铲出进行处理后再行使用。其次增加对烧结后的EL测试监控
Rs偏大，可能为烧结原因造成，而伴随开路电压和短路电流偏高的Rs偏大，可能为方块电阻偏高。一般前制程比较稳定，若某段时间连续出现Rs偏高的一般均为EL虚印造成，图4和5显示了一段时间Rs偏高，效率下降
、烧结缺陷、短路黑片、非短路黑片、网格片、过焊片、明暗片、局部断路片、位错、层错、虚焊或过焊等多种，下面列举晶体硅组件四种常见缺陷，分别从EL成像特点、原因形成等方面进行缺陷分析
》。按照资源综合利用、节能环保、因地制宜的原则，大力发展保温材料、烧结空心制品、加气混凝土制品、多功能复合一体化墙体材料、一体化屋面、多孔砌块、墙板、断桥隔热门窗、遮阳系统等建材产业，鼓励利用尾矿生产
Marketwired 2015年12月28日美国明尼苏达州明尼阿波利斯消息迪斯派奇工业公司(Despatch Industries)业已收到了一份购买多台Safire烧结炉的订单。购买者乐叶ink
"光伏科技有限公司(LERRI Solar Technology)将用这些烧结炉扩大2千兆瓦(GW)产能。乐叶光伏总部位于中国陕西省西安市，是高效单晶电池及模块生产商。Safire烧结炉采用双独立室
复合；原子氢钝化是因为硅的表面有大量的悬挂键，这些悬挂键是载流子的有效复合中心，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。 4、增加背场。 可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场
，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就
