激光工艺

工艺极其必要。 2硅片清洗技术 2.1清洗技术的分类和原理 常用的硅片清洗技术有湿法清洗和干法清洗。湿法清洗采用具有较强腐蚀性和氧化性的化学溶剂，如H2SO4、H2O2、DHF、NH3H2O等
一种高度满足清洗要求的优秀工艺，并且可以推广到硅片的清洗工艺中。 2.3.4束流清洗技术 束流清洗是指在电场力的作用下，雾化的导电化学清洗剂通过毛细管形成细小的束流状，高速冲击在硅片表面上，使得

太阳电池对杂质的容忍度要明显大于P型硅电池。但从P型电池工艺的丝网印刷来看，N型电池在转换效率上一些关键工艺还有待解决，而且制造成本也没有优势。 2)优化减反膜。 Kang研究发现，虽然采用沉积
Cz-Si作高效电池具有很大潜力。但由于镓在硅中的分凝系数比硼在硅中的分凝系数要低，以致掺硼的硅棒电阻率比掺镓的硅棒电阻率在沿晶体生长方向的变化较大，使得工艺控制相对较难，这也是其现阶段仍难较大推广的

。所有这些工作都加快了PERC概念从实验室研究向大规模工业化生产高质量太阳能电池的转变速度。本文接下来将具体介绍，通过将少量额外工艺步骤--包括AI2O3/SiNx叠层在硅片背面的沉积以及通过脉冲激光开槽
电极。电介质叠层的制作过程分成两步，首先是使用ALD或PECVD工艺在裸硅表面沉积一层非常薄的AI2O3(~5-25nm);紧接着使用PECVD工艺沉积一层较厚(100nm)的SiN层。 通过脉冲激光

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
，单晶PERC的光衰主要与电池中B-O对有关，此类衰减可通过降低硅片中氧含量、掺Ga、光照+退火等工艺消除。 图二 单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理 图三 国产PERC电池的光照恢复

激光掺杂等，简化了IBC电池背表面p+/n+界面处gap的制备工艺流程，开发出行业内领先的低成本;其次，离子注入的最大优点是可以精确地控制掺杂浓度，从而避免了炉管扩散中存在的扩散死层，通过掩膜可以形成
吸收散射光从而产生额外电力。 同时，通过采用离子注入技术整合整线工艺，简化工艺制程，提高良率，避免前后掺杂互相影响，最大化发挥N型结构的优势和效率潜力。 在中来股份之前，全球仅有韩国LG具有该技术

内容摘要 介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火

转换效率的记录，也是目前唯一产业化的高效太阳电池技术。PERC电池在常规电池基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应
将硅片的有效载流子寿命由10～20s提高到100～120s，同时利用激光对Al2O3/SiNxHy层叠薄膜进行局部开孔，使铝浆能通过孔洞与硅片形成良好的欧姆接触。本文研究工业生产中工艺参数与PERC电池

，PERC 太阳电池在生产上相对容易实施，只需在常规太阳电池的制备工艺中增加2 个工序：沉积背面钝化叠层和背面钝化层激光开窗。对银浆而言，电阻小、高宽比大、降低银含量、玻璃粉无铅化是未来的发展目标。综上所述
浆料发展的方向，为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路 01不同硅基太阳电池技术 晶体硅太阳电池主要由经过不同工艺处理的硅基片、正面电极、铝背场及背面电极等组成。图1～图5 分别为不同

经过近20年的发展，常规硅材料太阳能电池在硅材料质量、辅材以及工艺方面都获得了持续的提升，目前业内主流光电转换效率平均水平，普通单晶约20.1%，普通多晶18.7%-19.1%。单晶PERC电池
钝化以及聚集正/负电荷形成的场效应钝化，见图1)来减少电池体内以及表面的复合。配合优化的扩散工艺，结合先进的SE工艺以及金属化工艺来降低接触电阻和栅线电阻，增大并联电阻，减少电流的损耗; 图

为《PERC双面组件特性与发展趋势》。白银先针对双面PERC电池的技术特点进行了解读，他表示，PERC技术基于现有产线，只增加沉积背面钝化层和背面激光开槽两道过程，而将全覆盖的背铝更改为局部铝栅线，便可获得双面
PERC电池。整个工艺过程易操作，成本低，而且能极大提高组件的转换效率。白银表示，目前隆基乐叶电池示范线上的新一代双面PERC电池效率接近22%/17.5%水平，由CPVT测试的纪录达22.41