激光工艺

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隆基乐叶具备领先技术 三至五年内PERC技术效率将大幅提升来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-31 09:02:54

,量产效率也不断攀升,这足以证明PERC技术拥有强大的生命力和广阔的应用前景。 PERC电池只需在传统电池工艺基础上增加Al2O3/SiNx背镀膜和激光开膜两步工艺,与其它高效电池及技术相比,PERC

单晶PERC工艺优化有哪些容易忽视的细节?来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-30 14:23:06

基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应将硅片的有效载流子寿命由10~20s提高到100~120s,同时利用激光

详实数据告诉你,531新政后光伏行业将何去何从?来源:北极星分布式光伏 发布时间:2018-07-23 16:52:27

硅片带来的价值溢价为: 48.560=0.8 就是说对于普通单多晶组件,单晶硅片卖贵0.8元是合理的。 上面对比的是普通单多晶电池,但是当我们叠加perc、se激光、半片、反光贴条等一系列新技术
,早些年为了拼抢市场占有率投入重金扩充产能,然而时过境迁,新设备技术、工艺进步迅速,不仅价格更低,而且能耗、人耗也更低。最近调研惊闻:现在一条全新perc电池产线设备环节的投入仅需2.5亿元,这对

丝网印刷光伏电池正面电极银浆的流变学研究来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-23 14:48:47

晶体硅太阳能电池制造工艺中,使用成本昂贵的蒸镀工艺制作电极,如采用Ti/Pa/Ag结构来降低接触电阻,增加与硅底的附着力。而在实际工业生产中,为降低生产成本,常采用导电性能优越的银浆料,用丝网印刷的
工艺制作正面电极,再通过快速烧结工艺使电极与硅基底形成良好的欧姆接触。电子浆料是制造厚膜元件的基础材料,是一种由固体粉末和有机溶剂经过三辊轧制混合均匀的膏状物,在现代电子科技业运用非常广泛。晶硅太阳电池

新政调研:部分龙头公司生存困难?账簿上躺着无效资产?万字长文!来源:光伏头条 发布时间:2018-07-20 20:10:34

数量为60张,单张硅片带来的价值溢价为: 48.560=0.8元 就是说对于普通单多晶组件,单晶硅片卖贵0.8元是合理的。 上面对比的是普通单多晶电池,但是当我们叠加perc、se激光、半片
净资产的总额还要多。面对如此臃肿的资产负债表,只要资产价格稍稍变动,就会使得元气大伤。 3、生产设备老旧面临淘汰,某A公司,早些年为了拼抢市场占有率投入重金扩充产能,然而时过境迁,新设备技术、工艺进步

什么是perc电池?perc太阳能电池原理|技术|生产流程|工艺流程详解!来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-20 10:41:39

的不同而异。因此,钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线,需要增加一个化学湿式工作台进行背面

有了它 选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-19 09:37:52

【摘要】研究了激光掺杂选择性发射极匹配的扩散工艺,通过调整不同的工艺参数,达到相同的高方阻,比较了不同方法获得的高方阻的均匀性,得到了在105/□左右的高方阻仍能保持较好均匀性的扩散工艺。通过调整

隆基乐叶:有足够的技术储备让PERC在未来3~5年保持竞争优势来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-17 09:36:21

足以证明PERC技术拥有强大的生命力和广阔的应用前景。 PERC电池只需在传统电池工艺基础上增加Al2O3/SiNx背镀膜和激光开膜两步工艺,与其它高效电池及技术相比,PERC电池技术难度较小,设备

硅片清洗技术 有你所忽视的要诀吗?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-16 10:44:11

工艺极其必要。 2硅片清洗技术 2.1清洗技术的分类和原理 常用的硅片清洗技术有湿法清洗和干法清洗。湿法清洗采用具有较强腐蚀性和氧化性的化学溶剂,如H2SO4、H2O2、DHF、NH3H2O等
一种高度满足清洗要求的优秀工艺,并且可以推广到硅片的清洗工艺中。 2.3.4束流清洗技术 束流清洗是指在电场力的作用下,雾化的导电化学清洗剂通过毛细管形成细小的束流状,高速冲击在硅片表面上,使得

P型单晶硅电池衰减原因与改善措施来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-09 16:19:49

太阳电池对杂质的容忍度要明显大于P型硅电池。但从P型电池工艺的丝网印刷来看,N型电池在转换效率上一些关键工艺还有待解决,而且制造成本也没有优势。 2)优化减反膜。 Kang研究发现,虽然采用沉积
Cz-Si作高效电池具有很大潜力。但由于镓在硅中的分凝系数比硼在硅中的分凝系数要低,以致掺硼的硅棒电阻率比掺镓的硅棒电阻率在沿晶体生长方向的变化较大,使得工艺控制相对较难,这也是其现阶段仍难较大推广的